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化工儀器網>產品展廳>常用儀表>測量儀表>其它測量儀表>HUSTEC-1600A-MT 靜態參數測試儀系統

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HUSTEC-1600A-MT 靜態參數測試儀系統

參考價 1
訂貨量 ≥1
具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱 深圳市華科智源科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 HUSTEC-1600A-MT
  • 產地 深圳市寶安區航城街道恒豐工業城C4棟816
  • 廠商性質 生產廠家
  • 更新時間 2024/12/17 16:18:59
  • 訪問次數 101

聯系我們時請說明是化工儀器網上看到的信息,謝謝!


深圳市華科智源科技有限公司,是一家專業從事功率半導體測試系統自主研發制造與綜合測試分析服務,坐落于改革開放之都-中國深圳,核心業務為半導體功率器件智能檢測準備研制生產,公司產品主要涉及SMT*檢測儀,MOS管直流參數測試儀,MOS管動態參數測試儀,IGBT動態參數測試系統,IGBT靜態參數測試儀,在線式檢修用IGBT測試儀,變頻器檢修用IGBT測試儀,IGBT模塊測試儀,軌道交通檢修用IGBT測試儀,風力發電檢修用IGBT測試儀,功率循環,雪崩及浪涌測試設備,產品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等;

IGBT測試儀,IGBT測試儀設備,大功率IGBT測試儀,大功率IGBT測試設備,IGBT測試儀系統,IGBT靜態測試儀,IGBT靜態參數測試儀,SIC測試儀

產地類別 國產 外形尺寸 500(寬)x 450(深)x 250(高)mm
應用領域 能源,電子/電池,道路/軌道/船舶,汽車及零部件 重量 30kg
主機尺寸 深 660*寬 430*高 210(mm) 主機重量 <35kg
主機顏色 銀色系 主機功耗 <300W
海拔高度 海拔不超過 4000m 環境要求 -20℃~60℃(儲存)、5℃~50℃(工作)
相對濕度 20%RH~75%RH (無凝露,濕球溫度計溫度 45℃以下) 大氣壓力 86Kpa~106Kpa
防護條件 無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等

HUSTEC華科智源

HUSTEC-1600A-MT

靜態參數測試儀系統




一:靜態參數測試儀系統主要特點

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試,還可以測量大功率二極管 、IGBT模塊,大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管MOS管等器件的 V-I 特性測試,測試600A(可擴展至2000A),5000V以下的各種功率器件,廣泛應用于軌道交通,電動汽車 ,風力發電,變頻器,焊機行業的IGBT來料選型和失效分析,設備還可以用于變頻器,風電,軌道交通,電焊機等行業的在線檢修,無需從電路板上取下來進行單獨測試,可實現在線IGBT檢測,測試方便,測試過程簡單,既可以在測試主機里設置參數直接測試,又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試,通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試;


測試參數:

ICES  集電極-發射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發射極飽和電壓

ICON 通態電極電流

VGEON 通態柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用。


二:應用范圍

A:IGBT單管及模塊,

B:大功率場效應管(Mosfet)

C:大功率二極管

D:標準低阻值電阻

E:軌道交通,風力發電,新能源汽車,變頻器,焊機等行業篩選以及在線故障檢測

三、特征:

A:測量多種IGBT、MOS管

B:脈沖電流1200A,電壓5KV,測試范圍廣;

C:脈沖寬度 50uS~300uS

D:Vce測量精度2mV

E:Vce測量范圍>10V

F:電腦圖形顯示界面

G:智能保護被測量器件

H:上位機攜帶數據庫功能

I:MOS IGBT內部二極管壓降

J : 一次測試IGBT全部靜態參數

K: 生成測試曲線(IV曲線直觀看到IGBT特性,可以做失效分析以及故障定位)

L:可以進行不同曲線的對比,觀測同一批次產品的曲線狀態,或者不同廠家同一規格參數的曲線對比;

序號

測試項目

描述

測量范圍

分辨率

精度

1

VF

二極管正向導通壓降

0~20V

1mV

±1%,±1mV

2

IF

二極管正向導通電流

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

3

>200A時,1A

>200A時,±1%

4

Vces

集電極-發射極電壓

0~5000V

1V

±1%,±1V

5

Ic

通態集電極電流

0~1200A

≤200A時,0.1A

≤200A時,±1%±0.1A

6

>200A時,1A

>200A時,±1%

7

Ices

集電極-發射極漏電流

0~50mA

1nA

±1%,±10μA

8

Vgeth

柵極-發射極閾值電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

9

Vcesat

集電極-發射極飽和電壓

0~20V

1mV

±1%,±1mV

10

Igesf

正向柵極漏電流

0~10uA

1nA

±2%,±1nA

11

Igesr

反向柵極漏電流

12

Vges

柵極發射極電壓

0~40V

1mV

±1%,±1mV




































測試參數:

ICES  集電極-發射極漏電流

IGESF 正向柵極漏電流

IGESR 反向柵極漏電流

BVCES 集電極-發射極擊穿電壓

VGETH 柵極-發射極閾值電壓

VCESAT 集電極-發射極飽和電壓

ICON 通態電極電流

VGEON 通態柵極電壓

VF 二極管正向導通壓降

IGBT靜態參數測試儀整個測試過程自動完成,電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能,可生成測試曲線,方便操作使用


1) 物理規格

設備尺寸:500(寬)x 450(深)x 250(高)mm;

質量:30kg

2) 環境要求

海拔高度:海拔不超過 1000m;

儲存環境:-20℃~50℃;

工作環境:15℃~40℃。

相對濕度:20%RH ~ 85%RH ;

大氣壓力:86Kpa~ 106Kpa。

防護:無較大灰塵,腐蝕或爆炸性氣體,導電粉塵等空氣污染的損害;

3) 水電氣 用電要求:AC220V,±10%;

電網頻率:50Hz±1Hz



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