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2015年進(jìn)口液壓動(dòng)力元件依舊依賴
點(diǎn)擊次數(shù)：538 發(fā)布時(shí)間：2014-12-25
我國電力電子行業(yè)在科研和產(chǎn)業(yè)化不斷取得突破的同時(shí)，也面臨著諸多亟待克服的困難。
電力電子器件技術(shù)直接關(guān)系到變流技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)步，是建設(shè)節(jié)約型社會(huì)和創(chuàng)新型國家的關(guān)鍵技術(shù)。近幾年來，電力電子器件技術(shù)水平不斷提高，應(yīng)用領(lǐng)域日益廣泛，逐漸成為了國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展中基礎(chǔ)性的支柱型產(chǎn)業(yè)之一。
國家政策支持重點(diǎn)明確
隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動(dòng)機(jī)車/動(dòng)車組、城市軌道交通等技術(shù)發(fā)展和市場需求的增加，對(duì)5英寸及6英寸晶閘管、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IGBT（絕緣柵雙極晶體管）的需求非常緊迫，而且需求量也非常大。預(yù)計(jì)國內(nèi)每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達(dá)到50萬只以上。但目前國內(nèi)市場所需的電力電子器件主要依賴進(jìn)口。以IGBT為例，IGBT主要供應(yīng)商集中在英飛凌、三菱、ABB、富士等少數(shù)幾家，我國只有少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力，因此在技術(shù)上受制于人，這對(duì)國民經(jīng)濟(jì)的健康發(fā)展與國家安全極其不利。
為貫徹落實(shí)“十一五"高技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃和信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃，全面落實(shí)科學(xué)發(fā)展觀，推進(jìn)節(jié)能降耗，促進(jìn)電力電子技術(shù)和產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，根據(jù)國家發(fā)改委2007年發(fā)布的《關(guān)于組織實(shí)施新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項(xiàng)有關(guān)問題的通知》，國家將實(shí)施電力電子器件產(chǎn)業(yè)專項(xiàng)，提電力電子器件技術(shù)和工藝水平，促進(jìn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展，滿足市場需求，以技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)推進(jìn)節(jié)能降耗;推動(dòng)產(chǎn)、學(xué)、研、用相結(jié)合，突破核心基礎(chǔ)器件發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，完善電力電子產(chǎn)業(yè)鏈，促進(jìn)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的芯片和技術(shù)的推廣應(yīng)用;培育骨干企業(yè)，增強(qiáng)企業(yè)自主創(chuàng)新能力。支持的重點(diǎn)包括以下方面：在芯片產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持IGBT、金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）、快恢復(fù)二極管（FRD）、功率集成電路（PIC）、IGCT等產(chǎn)品的芯片設(shè)計(jì)、制造、封裝測試和模塊組裝;在模塊產(chǎn)業(yè)化方面，主要支持電力電子器件系統(tǒng)集成模塊，智能功率模塊（IPM）和用戶功率模塊（ASPM）;在應(yīng)用裝置產(chǎn)業(yè)化方面，重點(diǎn)圍繞電機(jī)節(jié)能、照明節(jié)能、交通、電力、冶金等領(lǐng)域需求，支持應(yīng)用具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)芯片和技術(shù)的電力電子裝置。
中國企業(yè)邁向市場
在產(chǎn)業(yè)政策支持和國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展的推動(dòng)作用下，我國電力電子產(chǎn)業(yè)化水平近年來有很大的提升。株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司一直致力于推動(dòng)我國電力電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，具備很強(qiáng)的技術(shù)創(chuàng)新能力。南車時(shí)代電氣通過自主創(chuàng)新，掌握了具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的全壓接技術(shù)，基于全壓接技術(shù)開發(fā)的系列高壓大功率電力電子器件入選了國家重點(diǎn)新產(chǎn)品。尤其是基于5英寸全壓接技術(shù)，承擔(dān)了科技部“十一五"科技支撐計(jì)劃——特高壓直流輸電換流閥及6英寸晶閘管研發(fā)項(xiàng)目，并成功開發(fā)出了6英寸晶閘管。南車時(shí)代電氣通過多年來的創(chuàng)新和積累，掌握了IGCT全套設(shè)計(jì)和制造技術(shù)，拉近了與較高水平的差距。同時(shí)，南車時(shí)代電氣立足于IGBT應(yīng)用技術(shù)，消化吸收*技術(shù)，在大功率IGBT的可靠性研究和試驗(yàn)等關(guān)鍵技術(shù)上取得了突破，為IGBT的封裝和芯片研究打下了較好的基礎(chǔ)。