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光刻膠的主要技術參數及其分類
光刻膠的主要技術參數及分類
光刻膠的主要技術參數
分辨率（resolution）：是指光刻膠可再現圖形的zui小尺寸。一般用關鍵尺寸來（CD，Critical Dimension）衡量分辨率。
對比度（Contrast）：指光刻膠從曝光區到非曝光區過渡的陡度。
敏感度（Sensitivity）：光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長光的zui小能量值（或zui小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米mJ/cm2。
粘滯性/黏度 （Viscosity）：衡量光刻膠流動特性的參數。光刻膠中的溶劑揮發會使粘滯性增加。
粘附性（Adherence）：是指光刻膠與晶圓之間的粘著強度。
抗蝕性（Anti-etching）：光刻膠黏膜必須保持它的粘附性，并在后續的濕刻和干刻中保護襯體表面，這種性質被稱為抗蝕性。
表面張力（Surface Tension）：液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間的吸引力。
光刻膠的分類
1.根據光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類
正膠（Positive Photo Resist）：曝光前對顯影液不可溶，而曝光后變成了可溶的，能得到與掩模板遮光區相同的圖形。
負膠（Negative Photo Resist）：反之。
正膠 | 優點 | 分辨率高、對比度好 |
缺點 | 粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本 | |
靈敏度 | 曝光區域光刻膠*溶解時所需的能量 | |
負膠 | 優點 | 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快 |
缺點 | 顯影時發生變形和膨脹，導致其分辨率 | |
靈敏度 | 保留曝光區域光刻膠原始厚度的50%所需的能量 |
2. 根據光刻膠能形成圖形的zui小光刻尺寸來分：
傳統光刻膠（正膠和負膠）
適用于紫外光（UV），I線365nm、H線405nm和G線436nm，關鍵尺寸在0.35um及其以上。
化學放大光刻膠（CAR，Chemical Amplified Resist）
適用于深紫外光（DUV），KrF 準分子激光248nm和 ArF準分子激光193nm。