武漢赫茲電力導讀：全自動抗干擾介損測試儀（高壓介質損耗測試儀）是赫茲電力產品研發部參照最新的行業標準以及電力試驗規程規范研發生產的高精度介質損耗測試儀。采用了最新的變頻技術，濾掉了工頻現場產生的干擾，保證儀器在強電場干擾下準確測量。采用了高壓升壓變壓器，完善的過零合閘、防雷擊等安全保護措施，試驗過程中輸出0.5KV～10kV不同等級的高壓，使用過程中操作簡單、安全。適用于發電廠、變電、互感器制造廠家以及電力檢修部門。

　　相信很多人想了解影響介質損耗因數測量結果的因素有哪些？下面就為大家一一介紹：

　　（1）溫度的影響。溫度對tanδ有直接影響，其程度隨絕緣材料、設備結構的不同而異。一般情況下，tanδ隨溫度升高而增大，為了便于比較，應將不同溫度下測得的tanδ值換算至20℃，再進行比較。

　　油浸式電力變壓器的溫度換算公式為：

　　tanδ2=tanδ1×1.3（t1-t2）/10

　　式中，tanδ1、tanδ2分別為t1、t2時的tanδ值。

　　由于被試品的真實平均溫度很難測準，對換算結果的正確性收到影響。因此，應盡可能在10-30℃溫度下進行測量，最好每次在相近溫度下測量。

　　受潮的絕緣材料在0℃以下時水分會凍結，tanδ會降低。因此，過低溫度下測得的tanδ不能反映真實的絕緣狀況，故測量tanδ的溫度不應低于5℃。

　　（2）試驗電壓的影響。良好絕緣的tanδ不隨電壓的升高而明顯增加。若內部有缺陷，則其tanδ將隨試驗電壓的升高而明顯增加。

　　（3）Tanδ與試品電容的關系。對電容量較小的設備（如套管、互感器、耦合電容器等），測量tanδ能有效地發現局部集中性和整體分布性的缺陷。但對電容量較大的設備（如大、中型變壓器等），測量tanδ只能發現絕緣的整體分布性缺陷，因為局部集中性的缺陷所引起的損壞增加只占總損耗的極小部分，容易被掩蓋，設備絕緣結構總是由許多部件構成并包含多種材料，可以看成是由許多串、并聯等值回路組成。