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目錄:牛津儀器(上海)有限公司>>ICPCVD>> PlasmaPro 100 ICPCVD

PlasmaPro 100 ICPCVD
  • PlasmaPro 100 ICPCVD
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更新時間：2022-11-30 12:45:42瀏覽次數：534評價

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This ICPCVD process module is designed to produce high quality films at low growth temperatures, enabled through high-density remote plasmas that achieves superior film quality with low substrate damage. 詢價 增加到詢價列表 在詢價列表中查看此產品
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  • 65mm、180mm、300mm 尺寸的ICP源 提供了工藝的均勻性
  • 晶圓尺寸高至200mm
  • 電極的溫度范圍為5ºC至400ºC
  • 已獲得ICPCVD氣體配送技術
  • 實時監測清洗工藝， 并且可自動停止工藝
SiO2

SiO2 deposited using TEOS and O2 by ICP CVD in ~50μm deep trench 4:1 aspect ratio

SiNx

SiNx deposited by ICP CVD at room temperature for 22nm T-gate HEMT

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