本應用的目的是驗證NexION 2000S對半導體工藝中廣泛應用于清除硅片表面高分子有機污染物的高純硫酸中Ti.、V、Cr、Zn的檢測能力。于半導體高純樣品分析的NexION 2000S為了能消除硫引起的干擾、在10ppt以下獲得穩定的分析結果,通過利用DRC功能直接去除硫的干擾或運用氨質量轉移(M++ NH3-→M-NH3+)方法，從硫酸中檢測出Ti、V.Cr及Zn。
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