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VSParticle邀您相約吉隆坡第二屆人工智能傳感器與換能器國(guó)際會(huì)議

來(lái)源:復(fù)納科學(xué)儀器(上海)有限公司 2025年07月29日 10:18

INVITATION

 

第二屆人工智能傳感器與換能器國(guó)際會(huì)議將于 7 月 29 日- 8 月 3 日在馬來(lái)西亞吉隆坡舉辦。我們誠(chéng)摯邀請(qǐng)您參加并蒞臨我們的【2】號(hào)展位,與技術(shù)銷售工程師 Vincent Mazzola 和應(yīng)用專家 Leandro Sacco 互動(dòng)交流,體驗(yàn) VSParticle 的干法納米打印技術(shù)并了解其在氣體傳感材料研究領(lǐng)域的最新進(jìn)展!

 

會(huì)議時(shí)間:2025 年 7 月 29 日-8 月 3 日

會(huì)議地點(diǎn):馬來(lái)西亞吉隆坡美利亞酒店

展位號(hào):2

 

VSParticle邀您相約吉隆坡第二屆人工智能傳感器與換能器國(guó)際會(huì)議

 

 


? VSP 展會(huì)亮點(diǎn)搶先看

 

Part 01.  干法納米打印如何重塑傳感材料研發(fā)路徑?

 

基于 MEMS 的金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)氣體傳感器技術(shù)相較于傳統(tǒng)監(jiān)測(cè)方法具有顯著優(yōu)勢(shì):ppm 級(jí)靈敏度、可檢測(cè)多種目標(biāo)氣體、易于微型化、可擴(kuò)展性強(qiáng)且量程寬。然而,在靈敏度與選擇性方面,現(xiàn)有 MOS 技術(shù)仍難以滿足部分應(yīng)用場(chǎng)景的需求。通過(guò)VSParticle-P1 納米打印沉積系統(tǒng),可顯著提升傳感器的性能指標(biāo):一方面通過(guò)最(sui)大化比表面積提高靈敏度,另一方面通過(guò)精確調(diào)控材料組分實(shí)現(xiàn)選擇性優(yōu)化。

 

VSParticle邀您相約吉隆坡第二屆人工智能傳感器與換能器國(guó)際會(huì)議

VSP-P1 納米印刷沉積系統(tǒng)基于火花燒蝕(Spark Ablation)與慣性沖擊打?。↖nertial Impaction)兩大核心技術(shù),為氣體傳感器制造提供了革命性解決方案:

 

  1. 火花燒蝕:通過(guò)高電壓火花燒蝕瞬間氣化金屬電極,生成超純納米顆粒(NP),可靈活混合金屬氧化物(如SnO?、NiO)、貴金屬催化劑(如Ag)等材料,實(shí)現(xiàn)“按需定制”的納米多孔層(NPL)。

     

  2. 慣性沖擊打印:將納米顆粒高速沉積于傳感器基底,無(wú)需光刻或刻蝕工藝,即可實(shí)現(xiàn)圖案化沉積。整個(gè)過(guò)程規(guī)避了化學(xué)污染,確保材料高純度與一致性,顯著提升傳感器性能。

 


Part 02.  高通量、多組分的快速金屬/氧化物氣體傳感涂層篩選

 

在本案例中,基于金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)及金屬催化劑的納米多孔層(NPLs)通過(guò)印刷方式沉積在多傳感器陣列平臺(tái)上,并以甲苯和甲醛作為目標(biāo)氣體進(jìn)行測(cè)試。最多三種不同組分的 NPLs 被用作傳感層。研究從靈敏度、選擇性、響應(yīng)/恢復(fù)時(shí)間及檢出限(LOD)等關(guān)鍵性能指標(biāo)出發(fā),系統(tǒng)分析了材料組成對(duì)氣體傳感性能的影響。

 

VSParticle邀您相約吉隆坡第二屆人工智能傳感器與換能器國(guó)際會(huì)議

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Part 03.  納米多孔氣敏層沉積服務(wù):快速打造高性能傳感材料

 

為了幫助研究人員和開發(fā)團(tuán)隊(duì)更高效地推進(jìn)氣體傳感器的材料開發(fā)與評(píng)估,VSParticle 提供定制化的納米多孔氣敏層沉積服務(wù),可直接在您的目標(biāo)基底上構(gòu)建結(jié)構(gòu)可控的高性能敏感材料層。我們能為您提供的服務(wù)包括:

 

材料定制與沉積

1.使用VSP火花燒蝕技術(shù)(Spark Ablation)生成 1-20nm 粒徑納米顆粒

2可選單元素材料(如Pt、Pd、Au、Ni等),也可配置多組分或摻雜體系

3不依賴溶劑與墨水,實(shí)現(xiàn)無(wú)掩膜、干式打印

 

納米結(jié)構(gòu)可控構(gòu)建

1形成高比表面積、多孔連續(xù)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),優(yōu)化氣體擴(kuò)散路徑與活性反應(yīng)位點(diǎn)

2可根據(jù)需求調(diào)整沉積厚度、粒徑分布、沉積圖案/陣列設(shè)計(jì)等關(guān)鍵參數(shù)

3提供單點(diǎn)、微區(qū)圖案化陣列、多位置對(duì)比測(cè)試布局

 

下游適配與協(xié)同測(cè)試

1可沉積在多種基底上,包括:MEMS芯片、電極結(jié)構(gòu)、玻璃、硅片、陶瓷等

2可選附加服務(wù):低溫?zé)崽幚怼?dǎo)電性能測(cè)試、SEM形貌觀察、光譜吸收等

 

VSParticle邀您相約吉隆坡第二屆人工智能傳感器與換能器國(guó)際會(huì)議

 


如果您是正在尋找更高效氣敏材料開發(fā)工具的研究人員、關(guān)注傳感器陣列批量工藝與性能一致性的工程專家、尋求低溫兼容性與復(fù)雜結(jié)構(gòu)沉積解決方案的產(chǎn)業(yè)用戶,歡迎來(lái) VSParticle 的展位與我們面對(duì)面探討,一起探索干法納米打印技術(shù)在AI氣體傳感中的無(wú)限可能!



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