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氧化硅基底單層石墨烯 (直徑4英寸)
產品說明
GA22型氧化硅基底單層石墨烯(直徑4英寸) 膜 CVD SiO2/Si基底單層石墨烯薄膜
描述:
● 光透過率:> 97%
● 覆蓋率:> 95%
● 厚度:0.345 nm
● 氧化鋁基底FET電子遷移率:2000 cm2/Vs
● 氧化硅/硅基底霍爾電子遷移率:4000 cm2/Vs
● 方阻:450±40 Ω/□
● 晶粒尺寸:達到10μm
● GA22型CVD薄膜的尺寸:直徑4英寸。
● 有特殊要求的用戶可訂制。
SiO2/Si基底規格:
● 氧化硅厚度:300nm±5%
● 晶型/摻雜劑:P型/B
● 晶向:<100>
● 電阻率:<0.005 Ω·cm
● 晶片厚度:525μm±20μm
● 上表面:拋光
● 背表面:腐蝕
● 粒子:<10@0.3μm
產品名稱: PET基底多層石墨烯
產品名稱: 鎳基底多層石墨烯 (20mmX60mm)
產品名稱: 鎳基底多層石墨烯 (10mmX10mm)X10片
產品名稱: CVD鎳基底多層石墨烯 (1英寸X1英寸)
產品名稱: 鎳基底多層石墨烯 (2英寸X2英寸)
產品名稱: 氧化硅基底三層石墨烯
產品名稱: 氧化硅基底雙層石墨烯
產品名稱: (10mmX10mm)X5片
產品名稱: (1英寸X1英寸)
產品名稱: (直徑4英寸)
【石墨烯產品】
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