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EDC-650Mz-8NPP 美國Laurell濕法刻蝕顯影機EDC-650Mz-8NPP

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科布公司是一家富有創(chuàng)新精神的化高科技公司,專業(yè)提供等離子清洗系統(tǒng)全套解決方案提供商。作為工業(yè)實驗室市場領域的,科布從事開發(fā)、設計、生產并營銷質量可靠的、安全易用的技術產品及優(yōu)質專業(yè)的服務,幫助客戶和合作伙伴取得成功。

光刻機,勻膠機,等離子清洗機,紫外臭氧清洗機,壓片機

一、美國Laurell濕法刻蝕顯影機EDC-650Mz-8NPP產品概述:
    650型勻膠顯影機適應于半導體、化工材料、硅片、晶片、基片、導電玻璃等工藝,制版的表面顯影。一般勻膠顯影機由動力系統(tǒng)、顯影液槽及噴液管、水洗槽、擠壓 (水)輥、涂膠槽等部分組成。

二、美國Laurell濕法刻蝕顯影機EDC-650Mz-8NPP勻膠顯影機工作原理:
顯影系統(tǒng)具有可編程閥,它可以使單注射器試劑滴膠按照蝕刻、顯影和清洗應用的要求重復進行,如沖洗(通常是去離子水或溶劑),然后干燥(通常是氮氣)等zui后的處理步驟。采用此序貫閥門技術的晶圓片和管道在*干燥的環(huán)境中開通和關閉處理過程。隔離和獨立的給水器可處在靜態(tài)的位置還可以蓋內調節(jié)。勻膠顯影機還有可選擇的動態(tài)線性或徑向滴膠的特性。

三、勻膠顯影機主要性能指標:    
1、腔體尺寸:12.5英寸 (318 毫米)
2、Wafer&芯片:直徑8英寸(200毫米)的晶圓片或者7x7英寸(175毫米)的方片;
3、非真空托盤:聚丙烯材質非真空托盤,可承載2、3英寸及200毫米的晶圓片-并帶有背面清洗功能;
3、轉動速度:0-12,000rpm, 
5、馬達旋涂轉速:穩(wěn)定性能誤差 < ±1%;
6、工藝時間設定:1-5999.9 sec/step 0.1 精度;
7、高精度數碼控制器:PLC控制,設置點精度小于0.006%;
8、程序控制:可存儲20個程序段,每個程序段可以設置51步不同的速度狀態(tài);
9、分辨率:分辨率小于0.5轉/分,可重復性小于±0.5轉/分,美國國家標準技術研究院(NIST)認證過的,并且無需再校準!]
10、腔體開關蓋板:透明ECTFE材質圓頂蓋板,便于實時進行可視化操作;
11、腔體材質說明:用聚丙烯材質制成的帶有聯動傳感觸點的合瓣式艙體;
12、配套分析軟件:SPIN3000操作分析軟件;
13、配套真空泵系統(tǒng):無油型 220~240伏交流,50/60赫茲;

四、適用工藝(包括但不限于下述濕法制程)
光刻膠顯影(KrF/ArF)
SU8厚膠顯影
顯影后清洗
PostCMP清洗
光罩去膠清洗
光刻膠去除
金屬Lift-off處理
刻蝕微刻蝕處理



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