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電子半導體微流控芯片測試溫度控制設備

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無錫冠亞恒溫制冷技術有限公司致力于制冷設備、超低溫冷凍機、制冷加熱控溫系統、加熱循環系統、防爆電氣設備、自動化集成分散控制系統、實驗儀器裝置、工業冷凍室的開發、生產和貿易的科技實體。擁有數位在超低溫、高低溫開發方面具有豐富經驗的高素質專業設計人員的研發隊伍。


我們的使命:

聚焦解決客戶寬溫制冷、加熱控溫難題和降低制冷、加熱系統能耗;

提供有競爭力的系統解決方案和服務,持續為客戶創造較大化價值;




制冷加熱循環器、加熱制冷控溫系統、反應釜溫控系統、加熱循環器、低溫冷凍機、低溫制冷循環器、冷卻水循環器、工業冷處理低溫箱、低溫冷凍機、加熱制冷恒溫槽等設備

產地類別 國產

電子半導體微流控芯片測試溫度控制設備

電子半導體微流控芯片測試溫度控制設備

電子半導體微流控芯片測試溫度控制設備

 

 型號TES-4525 / TES-4525W
溫度范圍-45℃~250℃
加熱功率2.5kW
制冷量250℃2.5kW
100℃2.5kW
20℃2.5kW
0℃1.8kW
-20℃0.85kW
-40℃0.25kW
導熱介質溫控精度±0.3℃
系統壓力顯示制冷系統壓力采用指針式壓力表實現(高壓、低壓)
循環系統壓力采用壓力傳感器檢測顯示在觸摸屏上
控制器西門子PLC,模糊PID控制算法,具備串控制算法
溫度控制導熱介質出口溫度控制模式
外接溫度傳感器:(PT100或4~20mA或通信給定)控制模式(串控制)
可編程可編制10條程序,每條程序可編制45段步驟
通信協議以太網接口TCP/IP協議
設備內部溫度反饋設備導熱介質出口溫度、介質溫度、制冷系統冷凝溫度、環境溫度、壓縮機吸氣溫度、冷卻水溫度(水冷設備有)
外接入溫度反饋PT100或4~20mA或通信給定
串控制時導熱油出口溫度與外接溫度傳感器的溫度差可設定可控制
溫差控制功能設備進液口溫度與出液口溫度的溫度差值可設定可控制(保護系統安全)
密閉循環系統整個系統為全密閉系統,高溫時不會有油霧、低溫不吸收空氣中水份,系統在運行中不會因為高溫使壓力上升,低溫自動補充導熱介質。
加熱指系統大的加熱輸出功率(根據各型號)
加熱器有三重保護,獨立溫度限制器,確保加熱系統安全
功率大于10kW采用調壓器,加熱功率輸出控制采用4~20mA線性控制
制冷能力指在不同的溫度具備帶走熱量的能力(理想狀態下),實際工況需要考慮環境散熱,請適當放大,并且做好保溫措施。
循環泵流量、壓力
max
采用冠亞磁力驅動泵/德國品牌磁力驅動泵
20L/min
2.5bar
壓縮機法國泰康
蒸發器采用DANFOSS/高力板式換熱器
制冷附件丹佛斯/艾默生配件(干燥過濾器、油分離器、高低壓保護器、膨脹閥)
操作面板無錫冠亞定制7英寸彩色觸摸屏,溫度曲線顯示EXCEL 數據導出
安全防護具有自我診斷功能;相序斷相保護器、冷凍機過載保護;高壓壓力開關,過載繼電器、熱保護裝置等多種安全保障功能。
制冷劑R-404A / R507C
接口尺寸G1/2
外型尺寸(風)cm45*85*130
外型尺寸(水)cm45*85*130
風冷型采用銅管鋁翅片冷凝方式,上出風型式,冷凝風機采用德國EBM軸流風機
水冷型 W帶W型號為水冷型
水冷冷凝器套管式換熱器(帕麗斯/沈氏 )
冷卻水量 at 25℃0.6m3/h
電源4.5kW max 220V
電源可定制460V 60HZ、220V 60HZ 三相
外殼材質冷軋板噴塑 (標準顏色7035)
隔離防爆可定制隔離防爆(EXdIIBT4)
無錫冠亞防爆產品安裝許可證號:PCEC-2017-B025
正壓防爆可定制正壓防爆(EXPXdmbIICT4) 正壓系統必須是水冷設備
無錫冠亞防爆產品安裝許可證號:PCEC-2017-B025

 

集成電路芯片測試中芯片失效怎么應對?

  集成電路芯片測試是用于各種芯片、半導體、元器件測試中的,一旦芯片失效的話,測試工作就會停止,那么,集成電路芯片測試的失效用戶需要了解清楚比較好。

  

半導體器件測試適用哪些行業

  半導體器件測試在各個半導體行業中使用比較多,那么,半導體器件測試適用的半導體、導體大家了解多少呢?這種物質的屬性還是建議用戶了解清楚的。

  一般來說,物質按導電性能可分為導體、絕緣體和半導體。物質的導電特性取決于原子結構。導體一般為低價元素,如銅、鐵、鋁等金屬,其外層電子受原子核的束縛力很小,因而易掙脫原子核的束縛成為自由電子。因此在外電場作用下,這些電子產生定向運動(稱為漂移運動)形成電流,呈現出較好的導電特性。高價元素(如惰性氣體)和高分子物質(如橡膠,塑料)外層電子受原子核的束縛力很強,不易擺脫原子核的束縛成為自由電子,所以其導電性差,可作為絕緣材料。而半導體材料外層電子既不像導體那樣易擺脫原子核的束縛,成為自由電子,也不像絕緣體那樣被原子核束縛得那么緊,因此,半導體的導電特性介于二者之間。



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