*雜化聚合物  污水池 質量好

耐酸性在任何溫度下能耐任何濃度的酸

 　　雜化，是原子形成分子過程中的理論解釋，具體有sp(如BeCl2)、sp2(如BF3)、sp3(如CH4)、sp3d（如PCl5）、sp3d2（如 SF6） 雜化等等．　　雜化軌道理論的要點：　　在成鍵過程中，由于原子間的相互影響，同一原子中幾個能量相近的不同類型的原子軌道（即波函數），可以進行線性組合，重新分配能量和確定空間方向，組成數目相等的新的原子軌道，這種軌道重新組合的過程稱為雜化（ hybridization），雜化后形成的新軌道稱為雜化軌道（hybrid orbital）。　　雜化的類型：　　等性雜化：全部由成單電子的軌道參與的雜化叫做等性雜化。　　不等性雜化：有孤對電子軌道參與的雜化叫做不等性雜化。　　雜化軌道的類型取決于原子所具有的價層軌道的種類和數目以及成鍵數目等。常見的有：　　sp雜化：sp雜化是指由原子的一個ns和一個np軌道雜化形成兩個sp雜化軌道，每個sp雜化軌道各含有1/2s成分和1/2p成分，兩個軌道的伸展方向恰好相反，互成180度夾角，形成σ鍵。　　sp2雜化：原子以一個ns和兩個np軌道雜化，形成三個能量相同sp2雜化軌道，每個雜化軌道各含1/ 3s成分和2/3p成分。三個雜化軌道間的夾角為120度。　　sp3雜化：由一個ns和三個np軌道雜化形成四個能量等同的sp3雜化軌道。每個sp3軌道都含有1/ 4s成分和3/ 4p成分。

碳化硅英文名稱：silicon carbide,俗稱金剛砂。純碳化硅是無色透明的晶體。工業碳化硅因所含雜質的種類和含量不同，而呈淺黃、綠、藍乃至黑色，透明度隨其純度不同而異。碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發現70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變為α-SiC。碳化硅的工業制法是用石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。

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