日立SU9000超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡是專門為電子束敏感樣品和需大300萬倍穩定觀察的*半導體器件，高分辨成像所設計。

• 新的電子槍和電子光學設計提高了低加速電壓性能。

  • 0.4nm / 30kV（SE）

  • 1.2nm / 1kV（SE）

  • 0.34nm / 30kV（STEM）

• 用改良的高真空性能和的電子束穩定性來實現高效率截面觀察。

• 日立SU9000超高分辨率場發射掃描電子顯微鏡采用全新設計的Super E x B能量過濾技術，高效，靈活地收集SE / BSE/ STEM信號。

• 低加速電壓觀察時分辨率更高，可更好地觀察樣品表面的細微形狀和更有效地降低樣品的損壞

• 全新設計的電子光學系統和信號處理技術實現了高速掃描和低噪音的觀察

• 和以前的常規掃描電子顯微鏡相比^＊2，自動功能縮短^＊3了大約11秒

• 具有在低真空時可以非常好地觀察樣品表面的細微形狀的“UVD（超高靈敏度可變壓力探測器）”^＊4

• 具有實現了實時立體成像的“實時立體觀察功能”^＊4

^（*2）：和日立SEM S-3400N相比
^（*3）：根據觀察條件的不同，時間會有變動