名稱（Name）

真空式等離子處理系統

型號（Model）

CRF-VPO-12L-S

控制系統（Control system）

PLC+觸摸屏

電源（Power supply）

380V/AC,50/60Hz, 7kw

中頻電源功率（RF Power）

1000W/40KHz/13.56MHz

容量（Volume ）

180L(Option)

層數（Electrode of plies ）

14(Option)

有效處理面積（Area）

490(L)*356(W)

氣體通道（Gas）

兩路工作氣體可選：Ar、N2、CF4、O2

外形（Appearance ）

鈑金結構

產品特點
超大處理空間，提升處理產能，采用PLC+觸摸屏控制系統，精準的控制設備運行；
可按照客戶要求定制設備腔體容量和層數，滿足客戶的需求；保養維修成本低，便于客戶成本控制；
高精度，快響應，良好的操控性和兼容性，完善的功能和專業的技術支持。
 
應用范圍
真空等離子清洗機適用于印制線路板行業，半導體IC領域、等離子硅膠處理、塑膠處理、聚合體領域，汽車電子行業，航空工業等。印制線路板行業：高頻板表面活化，多層板表面清潔、去鉆污、軟板、軟硬結合板表面清潔、去鉆污，軟板補強前活化。半導體IC領域：COB、COG、COF、ACF工藝，用于打線、焊接前的清洗；硅膠、塑膠、聚合體領域：硅膠、塑膠、聚合體的表面粗化、等離子刻蝕、活化。
 

單晶圓清洗設備為何在半導體產業中地位會提(升)？

單晶圓清洗設備和清洗工藝在半導體產業鏈中的地位提(升)

從市場銷售份額來看，單晶圓清洗設備在2008年之后超過自動清洗臺成為主要的清洗設備，而這一年正是行業引入45nm節點的時間。根據ITRS，2007年致2008年是45nm工藝節點量產的開始。松下、英特爾、IBM、三星等紛紛于此時段開始量產45nm。2008年底，中芯獲得了IBM批量生產45納(米)工藝的，成為中國向45nm邁進的中國半導體公司。
并且，在2008年前后兩個階段中，*很高的清潔設備走勢均與半導體設備銷售額走勢保持一致，體現出清洗設備需求的穩定性；并且在單晶圓清洗設備主導市場后，其占總體銷售額的比例明(顯)提(升)，體現出單晶圓清洗設備和清洗工藝在半導體產業鏈中的地位提(升)。這一*變遷是工藝節點不斷縮小的必然性結果。
根據市場對半導體估計，就每月生產10萬片晶圓的20nm的DARM廠來說，產量下降1％將導致每年利潤減少30致50百萬美元，而邏輯芯片廠商的損失更高。此外，產量的降(低)還將增加廠商原本已經十(分)高昂的資本支出。因而，工藝的優化和控制是半導體生產制程的重中之重，廠商對于半導體設備的要求也越來越高，清洗步驟尤其如此。在20nm及以上領域，清洗步驟數量*工藝步驟數量的30%。而從16/14nm節點開始，由3D晶體管結構、前后端更復雜的集成、EUV光刻等因素推動，工藝步驟的數量增加得很明(顯)，對清洗工藝和步驟的要求也將明(顯)增加。
工藝節點縮小擠壓良率，推動清洗設備需求提(升)。隨著工藝節點的不斷縮小，經濟效益要求半導體公司在清潔工藝上不斷突破，提高對于清潔設備的參數要求。對于那些尋求*工藝節點芯片生產方案的制造商來說，有效的無損清潔將是一個重大挑戰，尤其是10nm、7nm甚致更小的芯片。為了擴展摩爾定律，芯片制造商必須能夠從不僅平坦的晶圓表面除去更小的隨機缺陷，而且還要能夠適應更復雜、更精細的3D芯片架構，以免造成損害或材料損失，從而降(低)產量和利潤。