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B-M-1030 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡

參考價(jià)10000-50000/件
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
產(chǎn)品標(biāo)簽

布拉格反射鏡Bragg mirrors

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上海屹持光電技術(shù)有限公司致力于光電事業(yè)的發(fā)展,專業(yè)從事光學(xué)實(shí)驗(yàn)室設(shè)備研究、開發(fā)、制造及銷售,憑借公司強(qiáng)大的技術(shù)力量和經(jīng)濟(jì)實(shí)力,不斷開發(fā)出具有優(yōu)良技術(shù)水平的新產(chǎn)品。

  公司本著技術(shù)優(yōu)良、質(zhì)量*、客戶*的原則為廣大用戶提供滿意的服務(wù)。






太赫茲,超快,激光器及調(diào)制測(cè)量設(shè)備

產(chǎn)地類別 進(jìn)口 應(yīng)用領(lǐng)域 電子/電池

砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors

如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡,選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /(m * K)的良好導(dǎo)熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。
我們提供未安裝的布拉格反射鏡,標(biāo)準(zhǔn)基板厚度為450um。

可用芯片尺寸:
4.0mmx 4.0mm
2.0mm×2.0mm
1.3mm×1.3mm
可根據(jù)要求定制尺寸



1030nm 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GAAs Bragg mirrors


BM-1030nm-4x4 BM-1030nm-2x2
BM-1030nm-1.3x1.3
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm
•芯片面積:4 mm x 4 mm
•芯片厚度:450μm
Data sheet (pdf)
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm
•芯片面積:2 mm x 2 mm
•芯片厚度:450μm
Data sheet (pdf)
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長(zhǎng)λ= 1030 nm
•芯片面積:1.3 mm x 1.3 mm
•芯片厚度:450μm

Data sheet (pdf)


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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors




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