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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>原子層沉積設備>QBT-T 等離子體原子層沉積

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QBT-T 等離子體原子層沉積

具體成交價以合同協議為準
  • 公司名稱 廈門韞茂科技有限公司
  • 品牌 其他品牌
  • 型號 QBT-T
  • 產地
  • 廠商性質 生產廠家
  • 更新時間 2025/5/8 14:02:02
  • 訪問次數 936

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廈門韞茂科技有限公司成立于2018年,由硅谷海歸團隊創立,核心成員擁有超20年薄膜沉積工藝及設備開發產業化經驗,2021年入選高新技術企業,2022年入選廈門專精特新技術企業,是一家以納米級薄膜沉積工藝技術為核心的多領域全棧式薄膜沉積方案供應商,為客戶提供全面的技術解決方案以及先進的納米材料薄膜沉積裝備,針對先進制造國產化的痛點,開發自主設備。

 

 

ALD,PVD,CVD,原子層沉積設備 原子層沉積系統

價格區間 100萬-200萬 應用領域 綜合

  一、核心參數:

  價格區間:100萬-200萬

  產地類別:國產原子層沉積系統(ALD)

  襯底尺寸:6寸

  工藝溫度:RT-300℃

  前驅體數:最大可包括3組等離子體反應氣體,8組液體或固體反應前驅體

  重量:300KG

  尺寸(WxHxD):1400*1000*1900mm

  均勻性:99%

  二、原子層沉積(Atomiclayerdeposition)是通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應腔體內并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種技術,具有自限性和自飽和。原子層沉積技術主要應用是在各種尺寸和形狀的基底上沉積高精度、無針孔、高保形的納米薄膜。

  三、產品描述:

  廈門韞茂科技公司的雙腔體等離子體原子層沉積系統(QBT-T),設備采用雙腔體設計,腔體之間可實現獨立控制,雙倍產出。腔體分別為PEALD腔室,粉末ALD腔室。由于雙腔體雙功能的設計,使設備可以在平片上實現等離子體ALD的生長工藝以及粉末ALD包覆工藝,設備配有獨立控制的300℃完整加熱反應腔室系統,保證工藝溫度均勻。該系統具有粉末樣品桶、晶圓載盤、全自動溫度控制、ALD前驅體源鋼瓶、自動溫度控制閥、工業級安全控制,以及現場RGA、QCM、臭氧發生器、手套箱、極片架等設計選項。是*能源材料、催化劑材料、新型納米材料,半導體領域研究與應用的最佳研發工具之一。

  四、廈門韞茂科技有限公司為您提供雙腔體等離子體原子層沉積系統QBT-T的參數、價格、型號、原理等信息,QBT-T產地為福建、品牌為韞茂,型號為QBT-T,價格為100萬-200萬RMB,更多相關信息可咨詢,公司客服電話7*24小時為您服務。

  五、技術參數:

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