ZG SOI高速光開關芯片陣列
| 參考價 | ￥ 9998 |
| 訂貨量 | ≥1件 |
- 公司名稱 四川梓冠光電科技有限公司
- 品牌 梓冠
- 型號 ZG
- 產地 經開區電子制造產業園16棟3樓
- 廠商性質 生產廠家
- 更新時間 2025/5/10 15:02:40
- 訪問次數 1183
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四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月，位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設備和光通訊芯片的研發、設計、生產及銷售；是一家擁有自主研發能力及規模性量產能力的光通信高新技術企業。
以前瞻目光勾勒光通訊信息產業新藍圖，四川梓冠光電科技有限公司致力于光通信產業的發展，是一家集研究、開發、生產、銷售為一體的高科技企業。秉承用創新的方法和工匠的精神，突現光纖相關模塊及器件的升級、迭代，從服務中國起步，業務觸及全球。
梓冠光電自成立以來,持續投入研發,吸納通信行業技術人才,其中博士占比人數5.7%，
本科占比人數22.8%。公司產品日漸趨于多元化，不僅擁有行業水平的光開關、光衰減器、光纖延遲線、硅基系列光芯片、光纖合束器、MEMS光開關、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體光纖激光器及光路保護設備(OXC)等產品。公司還為激光雷達系統、量子通訊系統、激光聚變成像傳輸系統等提供核心的高精端光器件;
其中光纖延遲器被省經信委評定為高水平。產品技術獲得多項認證,其中發明10余項,外觀,軟著,實用新型等共20余項。
2024年7月成立西安技術中心，主要針對微波射頻、超快光纖激光器，測風激光器雷達，激光測距雷達，有害氣體檢測激光系統等產品進行研發生產。
目前，公司已與華為、中航、中電、中物院、中科院、高校、航天等企業、單位達成長期穩定的戰略合作;在全體同仁共同努力下斬獲幾十余項發明，經開區優秀知識產權企業，榮獲國家高新技術企業等稱號。
延遲線、光開關、光衰減器、光纖激光器、光源、光纖放大器、光探測器、WDM準直器、光隔離器、環形器（三端口、四端口）、偏振分束器/合束器、起偏器、耦合器、單纖/雙纖準直器、激光準直器、光纖反射鏡、光纖旋轉器、偏振控制器（三環、擠壓式）、光柵、波分復用器（CWDM/DWDM）等
SOI芯片式高速光開關陣列
SOI Chip-based High Speed Optical Switch Array
SOI芯片式高速光開關陣列，該產品基于硅基載流子色散效應實現納秒級高速響應的光路切換，實現了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低。
Chip-based multi-channel optical switch array is a product based on SOI platform, which could realize high-speed dynamic switching of optical signal with a response time on the order of nano-second. This product achieved the integration of an array of optical switches on a single SOI chip, and electro-optically co-packaged with fiber array and circuit board. It is thermally biased and digitally driven and has tiny polarization-sensitivity and low insertion loss.
〖性能指標Specifications〗
參數指標 Parameters
| 單位 Unit | 最小值 Min. | 典型值 Typ.
| 最大值 Max. | 備注 Notes |
波長范圍 Wavelength range
| nm | 1530—1570 nm or 1270nm—1330 nm
| |||
消光比 Extinction ratio
| dB | 19 | 20 | 22 | |
插入損耗 Insertion loss | dB | 1.6 | 1.8 | 2.0 | |
回波損耗 Return loss | dB | 40 | 50 | ||
偏振相關損耗 PDL | dB | 0.3 | 0.5 | ||
驅動電壓 drive voltage | V | 0.9 | 1 | 1.2 | @300ns |
驅動電流 drive current
| mA | 6 | 7 | 9 | @300ns |
芯片級響應時間 Response Time | ns | 30 | 300 | ||
熱調功耗 Thermal tuning power consumption | mW | 30 | 50 | ||
通道數 number of channels | 8—16或可定制 8—16 or Can be customized | ||||
光功率 Transmission optical power | mW | 80 | |||
工作溫度范圍 Operating temperature range | °C | -20 | 50 | ||
工作濕度范圍 Operating humidity range | % | +65 | |||
芯片尺寸 Chip Dimensions | mm | 20(L)×2.5 (W)×0.5(H) | 或可定制 or can be customized | ||
ZG | 波長 Wavelength | 通道數 Number of channels | 類型 Type |
13=1310nm 15=1550nm | 1=1CH 4=4CH 8=8CH 16=CH XX=other | 1=不帶熱調 1=Without temperature regulating thermistor 2=帶熱調 2=With temperature regulating thermistor XX=other |
SOI芯片式高速光開關?高集成度芯片化
SOI芯片式高速光開關?高集成度芯片化
在開始之前，讓我們先來了解一下什么是光開關以及它的作用。光開關是一種能夠控制光路切換的器件，常用于光通信、光學儀器等領域。而光開關掃描芯片則是一種將光開關集成到芯片中的產品，可以通過控制光路的切換實現多種功能，比如激光測距、光學通信等。
接下來，我們來探討一下光開關掃描芯片設計的基本步驟。首先，我們需要確定設計目標和用途，比如用于激光測距還是光學通信。然后，我們需要根據應用需求進行方案設計，包括確定芯片的尺寸、光學元件的位置和數量等。接著，我們需要進行電路設計和結構設計，以確保芯片能夠正常工作并滿足應用需求。最后，我們還需要進行仿真驗證和實驗測試，以確保芯片的性能和可靠性。
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