一、系統設備概述

多腔等離子體刻蝕系統是一款優良的刻蝕設備，廣泛應用于半導體制造和微電子領域。該系統通過在多個腔室中產生等離子體，利用反應氣體對材料進行選擇性刻蝕，能夠實現高精度和高均勻性的刻蝕效果。多腔設計使得設備能夠同時處理多個晶圓，提高生產效率和吞吐量。該設備適用于多種材料，包括硅、氮化物和金屬等，廣泛用于集成電路、MEMS 以及光電器件的制造。憑借其良好的刻蝕性能和靈活的工藝調節能力，多腔等離子體刻蝕系統在現代微納米加工中發揮著重要作用。

二、設備用途與原理

1.設備用途

多腔等離子體刻蝕系統主要用于半導體制造、微電子和納米技術領域。它廣泛應用于集成電路（IC）、微機電系統（MEMS）、光電器件及其他高精度微納加工，能夠實現對硅、氮化物、金屬等多種材料的選擇性刻蝕。

2.工作原理

該系統通過在多個腔室中產生等離子體，利用反應氣體與材料表面反應，選擇性去除材料。首先，反應氣體被引入刻蝕腔室，經過電場激勵后形成等離子體。等離子體中的活性粒子與待刻蝕材料表面發生化學反應，產生揮發性副產物，從而實現材料的去除。多腔設計使得系統能夠同時處理多個晶圓，顯著提高生產效率和均勻性。此外，系統的工藝參數可調節，允許用戶優化刻蝕速率和選擇性，以滿足不同應用的需求。

三、設備組成

1.方案是適用于大 8 吋晶圓的多腔等離子體刻蝕工藝系統

2.系統可用于研發和小批量生產

3.系統兼容 8 吋、6 吋、4 吋、3 吋晶圓和不規則碎片；不同尺寸樣片之間的切換、無需反應腔的開腔破真空

4.系統包括：

一個六端口的轉接腔、帶機械手

六個端口分別連接：                                                    

（1）一個ICP-RIE 刻蝕腔模塊：用于刻蝕鈮酸鋰；              

（2）一個ICP-RIE 刻蝕腔模塊：配氟基氣體，主要用于刻蝕介質、光刻膠去膠等；

（3）一個 RIE 刻蝕腔模塊：配氯基氣體，主要用于刻蝕金屬等；                              

（4）一個 loadlock 預真空室模塊：用于單片樣品的手動送樣；

（5）一個真空片盒站模塊：用于多片片盒的自動送樣；           

（6）一個端口備用，未來可升增加 1 個刻蝕或沉積反應腔模塊。