美國 IK-TECHNOLOGIES 高分辨電子能量損失譜儀

HREELS高分辨電子能量損失譜儀在分辨率和信號水平方面表現(xiàn)的全球，現(xiàn)在結(jié)合我們的多通道分析儀選件（EA5000MCA），可實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)采集速度。用于研究表面分子振動(dòng)，表面聲子和等離子體以及電子能級和能帶隙。

• 超高分辨率0.5 meV FWHM

• 在1.0 meV分辨率（FWHM）下保證探測器電流大于或等于10pA

• 采用具有可控角度像差的新型靜電偏轉(zhuǎn)器

• 具有菜單驅(qū)動(dòng)軟件的低噪聲數(shù)字控制電子設(shè)備

• 用戶可選擇的掃描范圍高達(dá)50 eV，適用于電子振動(dòng)/電子應(yīng)用

• EELS原理
  

當(dāng)入射電子束照射試樣表面時(shí)，將會發(fā)生入射電子的背向散射現(xiàn)象，背向散射返回表面的電子由兩部分組成，一部分沒有發(fā)生能量損失，稱為彈性散射電子，另一部分有能量損失，稱為非彈性散射電子。·在非彈性散射電子中，存在一些具有一定特征能量的俄歇電子，其特征能量只同物質(zhì)的元素有關(guān)，如果在試樣上檢測這些俄歇電子的數(shù)目按能量分布，就可以標(biāo)定物質(zhì)的各元素組成，稱為俄歇電子能譜分析技術(shù)。

如果其特征能量不但同物質(zhì)的元素有關(guān)，而且同入射電子的能量有關(guān)，則稱它為特征能量損失電子。

如果在試樣上檢測能量損失電子的數(shù)目按能量分布，就可獲得一系列譜峰，稱為電子能量損失譜，利用這種特征能量電子損失譜進(jìn)行分析，稱為電子能量損失譜分析技術(shù)。

EELS理論

對低能電子能量損失譜的解釋工作是建立在非彈性散射理論上。

如果入射電子從具有兩維周期性晶格結(jié)構(gòu)的表面散射回來時(shí)經(jīng)歷了—個(gè)非彈性散射過程，它將損失部分能量。

美國 IK-TECHNOLOGIES 高分辨電子能量損失譜儀的應(yīng)用

EELS譜可做包括氫在內(nèi)的指紋鑒定，也可做表面結(jié)構(gòu)分析。在指紋鑒定時(shí)只要參照被分析原子的紅外吸收光譜，將電子能量損失譜跟紅外吸收譜進(jìn)行比較就能做出鑒定。

關(guān)于結(jié)構(gòu)分析，它所給出的信息是關(guān)于微區(qū)的，局域的，這與LEED不同，LEED所處理的問題是長程有序表面的結(jié)構(gòu)。對樣品的破壞作用小，適合研究氣體在固體表面的吸附。而且對吸附有很高的靈敏度，可以對<0.1%單原子層的吸附做常規(guī)分析，這些分析包括化學(xué)物品在表面的吸附及吸附層在化學(xué)反應(yīng)過程中所產(chǎn)生的中間物的鑒定。

它的應(yīng)用包括研究固體上的催化反應(yīng)，金屬表面的腐蝕等。