Clevios導電聚合物的涂覆

Clevios™分散體和配方可通過多種工藝進行涂覆或印刷，例如旋涂、狹縫涂布、噴涂、浸涂、凹版印刷、絲網印刷和噴墨打印

等。我們為某些工藝提供即用型油墨或漿料配方，同時我們的技術服務團隊能夠為其他需要進行產品改進的工藝提供支持。

在實驗室中，旋涂是將Clevios導電聚合物沉積為一道薄涂層的常見方式。接下來將對Clevios導電聚合物的旋涂工藝進行詳細介

紹:

通過旋涂工藝沉積到氧化銦錫(ITO)玻璃表面的Clevios™P導電聚合物涂層的厚度由以下幾個參數確定:

旋轉速度

加速度

旋轉時間

旋涂器的設計

基材尺寸和表面

■基材表面預處理的質量

氧化銦錫(ITO)玻璃的預處理對于Clevios™P導電聚合物能否在該基材表面均勻分散影響極大。因此，并沒有通用的規則來

確定旋轉速度與涂層厚度之間的關系。為了描繪出典型的旋轉-厚度示例曲線，我們將各種Clevios™P系列的導電聚合物旋涂

在涂有氧化銦錫(ITO)的玻璃基材表面。結果在旋涂機(帶3”Gyrset罩的Carl Suss®RC 8)上顯示。首先將尺寸為50 mmx

50 mm的涂有氧化銦錫(ITO)的玻璃基材采用濕洗法洗凈，然后將其表面置于紫外線/臭氧腔室中進行活化處理，時間為15

分鐘。通過Pasteur移液管將約1-2毫升的Clevios™P系列導電聚合物沉積到玻璃基材表面。進行旋涂工藝前，手動將該聚合物

分散體分散到整個基材表面。

旋涂工藝結束后，將濕膜置于加熱板上進行熱風烘烤。推薦的烘烤溫度和烘烤時間:Clevios™PAI4083、Clevios™ P

CH8000等電子產品用導電聚合物及Clevios™HIL系列:在200℃的溫度下烘烤5分鐘;Clevios™PH 1000、Clevios™ HIL-

E、Clevios™F ET或Clevios™HIL 8等高導電性產品:在130C的溫度下烘烤15分鐘。

其他提示:

如果Clevios™ P分散體在涂覆過程中出現濕潤現象，可在其中加入不超過10%(重量比)的異丙醇。此外，加入表面

活性劑也能改善潤濕性，尤其是在疏水表面。

在OLED應用中，Clevios™P導電聚合物的涂層厚度通常在50-80nm之間。涂層厚度應通過實驗不斷進行優化，以實現

的透過率和成膜質量。如有需要，Clevios™HIL系列大多數產品都可提供n數據和k數據。

所有剩余/未使用的分散體在涂覆結束后都應倒出設備，以避免干燥后的分散體造成腐蝕和進一步的顆粒污染。

儲存和處理 儲存和處理須遵守使用國家/地區的規則和規定。另請參閱 Clevios 絲網印刷應用指南。當儲存溫度在 5°C 至 30°C 之間時，CLEVIOS™ SV 4 Stab 在密封的原始容器中自生產之日起 12 個月內可保持穩定。打開后，容器必須密閉，以防止水分蒸發，從而形成不可再分散的薄膜。短暫加熱至Z大。50℃對產品性能無不良影響。危險識別 請參閱材料安全數據表。文件 每個商業訂單均提供符合 EN 10204 的檢驗文件。可根據要求提供樣品檢驗文件。