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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>硅片制備/晶體生長設備>晶圓研磨機>TDL-600/1200 雙面晶圓研磨機

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TDL-600/1200 雙面晶圓研磨機

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晶圓研磨

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養、售后技術支持及實驗室整體服務。

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1 產品概述:

雙面晶圓研磨機是一款專為晶圓片設計的高效、高精度的雙面研磨加工設備。它通過上、下兩個研磨盤的相對旋轉,配合精密的加壓系統和研磨液,對晶圓片進行雙面同時研磨,以達到預期的平整度和表面光潔度。該設備廣泛應用于半導體、光電子、光電通訊等領域,是晶圓加工過程中的關鍵設備之一。

 

2 設備用途:

雙面晶圓研磨機的主要用途包括:

  1. 晶圓片雙面研磨:通過精密的研磨工藝,去除晶圓片表面的不平整和瑕疵,提高其表面質量和精度,為后續工藝如光刻、鍍膜等提供高質量的基片。

  2. 材料去除與平整化:在晶圓加工過程中,常常需要去除表面的氧化物、雜質或調整晶圓的厚度,雙面晶圓研磨機能夠高效地完成這些任務。

  3. 提高生產效率:相比單面研磨機,雙面晶圓研磨機能夠同時研磨晶圓片的兩個面,大大提高了生產效率,降低了生產成本。

3. 設備特點

雙面晶圓研磨機具有以下特點:

1  高精度:采用先進的研磨技術和精密的控制系統,能夠確保晶圓片在研磨過程中的精度和一致性,滿足高精度加工的要求。

2  高效率:雙面同時研磨的設計,使得研磨效率大幅提升,縮短了加工周期,提高了生產效率。

3  兼容性強:支持不同材質、不同尺寸、不同厚度的晶圓片研磨,通過更換研磨盤和研磨液,可以適應不同的加工需求。

4  氣囊加壓與精確控制:采用氣囊加壓方式,配合比例閥精確控制壓力,確保了研磨過程中的穩定性和一致性。


4  設備參數

規格/參數

TDL-600

TDL-1200

加壓方式

氣囊

氣囊

研磨壓力

Max400 kgf

Max1000 kgf

上下拋光盤尺寸

OD630 mm

OD1100 mm

游星輪規格

9B*5

14B*6

上下拋光盤轉速

0-85 RPM

0-70 RPM

內環轉速

0-100 RPM

0-115 RPM

外環升降







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