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化工儀器網>產品展廳>半導體行業專用儀器>薄膜生長設備>化學氣相沉積設備>PlasmaPro 80 PECVD 等離子增強化學氣相沉積PECVD

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PlasmaPro 80 PECVD 等離子增強化學氣相沉積PECVD

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牛津PECVD

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深圳市矢量科學儀器有限公司是集半導體儀器裝備代理及技術服務的高新技術企業。

致力于提供半導體前道制程工藝裝備、后道封裝裝備、半導體分析測試設備、半導體光電測試儀表及相關儀器裝備維護、保養、售后技術支持及實驗室整體服務。

公司目前已授實用新型權利 29 項,軟件著作權 14 項,是創新型中小企業、科技型中小企業、規模以上工業企業。










冷熱臺,快速退火爐,光刻機,納米壓印、磁控濺射,電子束蒸發

1. 產品概述

PlasmaPro 80是一種結構緊湊且使用方便的小型直開式系統,可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現快速晶圓裝卸,是研究、原型設計和小批量生產的理想選擇。 它通過優化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現高性能工藝。

2. 特色參數

直開式設計允許快速裝卸晶圓

出色的刻蝕控制和速率測定

出色的晶圓溫度均勻性

晶圓大可達200mm

購置成本低

符合半導體行業 S2 / S8標準

小尺寸系統——易于安置

優化了的電冷卻——襯底溫度控制

高導通的徑向(軸對稱)抽氣結構—— 確保提升了工藝均勻性和速率

增加了<500毫的數據記錄功能——可追溯腔室和工藝條件的歷史記錄

近距離耦合渦輪泵——提供優秀的泵送速度加快氣體的流動速度

關鍵部件容易觸及——系統維護變得直接簡單

X20控制系統——大幅提高了數據信息處理能力, 并且可以實現更快更可重復的匹配

通過端軟件進行設備故障診斷——故障診斷速度快

用干涉法進行激光終點監測——在透明材料的反射面上測量刻蝕深度 (例如硅上的氧化物),或者用反射法來確定非透明材料 (如金屬) 的邊界

用發射光譜(OES)實現較大樣品或批量工藝的終點監測—— 監測刻蝕副產物或反應氣體的消耗量的變化,以及用于腔室清洗的終點監測 




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