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QUBIG諧振型電光相位調制器

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上海昊量光電設備有限公司  
Aunion Tech Co., Ltd
專業源自專注  專注成就未來

自2008年成立以來,昊量光電專注于光電領域的技術服務與產品經銷,致力于引進guo外*先進性與創新性的光電技術與可靠產品,為國內Z前沿的科研與工業領域提供優質的產品與服務,助力中國智造與中國創造! 目前,昊量光電已經與來自美國、歐洲、日本的多家光電產品制造商建立了緊密的合作關系。其代理品牌均處于相關領域的發展前沿,產品包括各類激光器、光電調制器、光學測量設備、精密光學元件等,所涉足的領域涵蓋了材料加工、光通訊、生物醫療、科學研究與國防等。

昊量光電堅持“專業源自專注,專注成就未來”的經營理念。近年來,我們專注于前沿的細分市場,為量子光學、生物顯微、物聯傳感、精密加工、先進激光制造等領域的客戶提供系統解決方案。

作為一家以技術溝通與技術服務見長的高科技企業,我們所有的銷售與技術服務團隊成員都具有理工科方面的專業背景,并在公司接受相關領域的專業培訓,在售前技術溝通、售后產品安裝培訓、產品問題解決、軟硬件增值服務等方面為客戶提供更加專業化的服務!我們專業高效的商務與物流部門憑借多年積累的貿易經驗與規范化的制度流程,保障每一筆訂貨準時安全到達目的地,免除客戶的后顧之憂!

秉承誠信、高效、創新、共贏的核心價值觀,昊量光電堅持以誠信為基石,憑借高效的運營機制和勇于創新的探索精神為我們的客戶與與合作伙伴不斷創造價值,實現各方共贏!

立足于光電產業,昊量光電始終堅持價值創造與創新,贏得客戶與合作伙伴的認可,不斷拓展業務領域的新邊疆,立志打造的代理服務品牌!



激光器調制器,激光測量加工設備,光學部件,光譜儀,光纖器件,晶體,精密定位系統掃描系統,探測器光子計數器,專用實驗設備,相機

應用領域 環保,化工,生物產業,能源,電子/電池

QUBIG諧振型電光相位調制器


一,諧振型電光調制器簡介

諧振型電光調制器(R-EOM)依托山西大學量子光學與光量子器件重點實驗室科研技術進行成果轉化。在抑制相位調制中剩余振幅調制技術基礎上,自主研發了諧振型電光相位調制器,可以有效降低半波電壓、提高調制深度以及抑制相位調制中剩余振幅調制,提高系統鎖定穩定性等(該研究成果被德國Qubig公司在其上引用)。該調制器廣泛應用于量子信息、激光物理、冷原子物理、原子鐘、時頻傳輸等領域。

 圖1 德國Qubig公司引用山西大學研究成果


  二,QUBIG諧振型電光相位調制器性能參數

諧振頻率f0 1)

0.1 MHz-100 MHz

典型帶寬Δν

0.014*f0

Q

70

max大射頻驅動功率

2 W

電光晶體

鈮酸鋰

通光孔徑

ф3 mm

使用波長范圍

360 nm-2μm

損傷閾值

2 W/mm2

Surface Quality

≤ 20-10

Flatness

≤ λ/8@633nm

wavefront distortion

≤ λ/6@633nm

工作溫度范圍

-20-80℃

                                                1)室溫24.5℃下測試數據



三,諧振型電光相位調制器典型外觀尺寸

典型外觀尺寸


備注:上圖為典型外觀尺寸,可定制外觀尺寸、螺紋大小、位置及溫控套件,溫控套件需另配。


四,測試方法及結果:zz1 諧振頻率測量方法及典型結果


R-EOM諧振性能測試裝置圖如圖3所示。將R-EOM的輸入端接入網絡阻抗分析儀,測量R-EOM對驅動信號反射特性。

實驗結果如圖4所示,其中驅動反射率在5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz處達到很低,佳諧振頻率即為5 MHz/ 10 MHz/ 20.0 MHz,此時能量轉化達到佳。由于實際使用信號源內部時鐘不同,可在設定頻點附近尋找實際佳調制頻率。

 

圖3 R-EOM調制器諧振性能測試裝置圖



2.調制深度測試方法及典型結果

調制深度隨驅動電壓測試裝置圖,如圖5所示。特定線偏振激光經過R-EOM調制后,入射到一個光學腔中,利用Keysight 33600A或其他信號源為R-EOM提供驅動,通過PD探測腔透射信號主模式及以及邊帶模式大小及比例,根據貝塞爾函數計算調制深度。需要說明的是,在同等情況下,激光波長越短調制深度越高,我們是采用852 nm激光進行測試,如用633 nm,則所需驅動更低。


Pro版本R-EOM的調制深度測試結果如下圖所示,諧振頻率為5.0 MHz的R-EOM達到調制深度1.435時所需2.15 Vp驅動


五, 激光偏振要求


基于單端楔角晶體的調制器,其激光入射方向及偏振要求如圖8所示,SMA接頭朝上,面朝logo,則激光從左端入射,出射光向右前方偏折,此時入射激光偏振方向為水平線偏振光(P偏振/H偏振);若logo面朝上放置,出射激光向上偏折,此時入射激光需為垂直線偏振激光(S偏振/V偏振)。

基于雙端平行晶體的調制器,對激光入射方向無要求,但入射激光偏振同楔角晶體調制器一致。

圖8 基于單端楔角晶體調制器的激光入射方向及偏振要求


六,不同諧振頻率下達到1rad調制深度所需驅動電壓(852nm激光測試)


                PS:50Ω阻抗測試電壓峰值





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