晶圓刻蝕清洗設備是半導體制造工藝中的關鍵設備，主要用于去除晶圓表面的薄膜材料（如氧化硅、氮化硅、金屬層）及工藝殘留污染物，確保芯片性能與良品率。其技術融合了濕法化學腐蝕、干法等離子體刻蝕、超聲波清洗及兆聲波空化等多種工藝，覆蓋前道光刻膠剝離、后道封裝清潔等全環節需求。

一、核心功能與技術特點

多工藝兼容設計

濕法刻蝕模塊：采用SC-1（硫酸+雙氧水）、SC-2（鹽酸+雙氧水）等標準配方，精準去除光刻膠、氧化物及金屬污染，支持8-12英寸晶圓適配。

干法刻蝕模塊：集成等離子體增強反應（RIE/PECVD），通過CF?、SF?等氣體實現圖形化刻蝕，適用于深硅刻蝕或精細結構加工。

復合清洗流程：兆聲波（1MHz高頻）與超聲波（40kHz低頻）協同作用，剝離納米級顆粒（≤0.1μm），減少化學液依賴并降低表面損傷風險。

高精度控制與均勻性保障

溫控系統：電加熱搭配PID算法，實現±0.3℃溫度波動控制，確保化學反應穩定性，避免局部過熱或腐蝕不均。

流體動力學優化：旋轉噴淋臂（360°全覆蓋）與溢流槽設計，保證化學液在晶圓表面均勻分布，提升窄間隙（如鰭片結構）清洗效果。

顆粒過濾技術：多級過濾系統（0.2μm濾芯+UF超濾膜），結合在線顆粒監測（如激光計數器），實時反饋潔凈度數據。

智能化與自動化能力

人機交互界面：觸摸屏預設標準工藝參數（如SC-1清洗時間10min、溫度60℃），支持自定義配方存儲與遠程監控。

聯機通信：RS-485接口對接光刻機、鍍膜機等設備，實現自動化生產節拍匹配，減少人工干預。

數據追溯系統：記錄每批次晶圓的清洗時間、化學液用量及潔凈度檢測結果，滿足ISO/SEMI標準要求。

二、安全與環保設計

防泄漏與防護措施：雙套管結構（內管輸液、外管監測泄漏）、PFA材質槽體耐腐蝕，緊急排空閥防止溢流，透明觀察窗實時監控液位。

廢氣處理系統：活性炭吸附+催化燃燒裝置處理揮發性氣體（如硫酸霧、有機溶劑），符合環保排放標準。

節能與資源回收：純水循環利用率≥80%，化學液分類回收率≥90%，真空干燥能耗較傳統烘箱降低40%。

三、應用場景與行業價值

前道制程：光刻膠剝離后的有機物清除、銅互連結構清洗、柵極氧化層腐蝕，直接影響器件電性能與可靠性。

封裝：TSV（硅通孔）刻蝕后殘留物清理、扇出型封裝（Fan-out）中的臨時鍵合膠去除。

功率半導體：碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）晶圓的粗化處理，提升外延層附著力。

光伏領域：單晶硅片切割液殘留清洗，減少EL測試中的隱裂缺陷。

四、設備優勢總結

高潔凈度：清洗后表面顆粒數≤3顆/cm2（Class 5標準），金屬污染＜0.1nm，滿足EUV光刻前處理要求。

低損傷率：兆聲波非接觸式清洗避免機械劃痕，晶圓翹曲變化≤0.2μm，電參數偏移＜0.05%。

靈活適配：模塊化設計支持定制化腔室數量（如單片機4-8腔）、化學液路擴展及特殊氣體刻蝕需求。

合規性：符合SEMI S8/S2、ISO 14644-1潔凈度標準，適配車規級AEC-Q200及醫療級器件生產需求。

該設備通過精密控制、多工藝協同及智能化管理，解決了傳統清洗工藝的效率低、一致性差、污染風險高等問題，成為半導體制造中保障產品質量與生產效率的核心裝備。