一、技術(shù)定義與核心原理

電融合是一種利用電場誘導(dǎo)細(xì)胞膜結(jié)構(gòu)改變，促使兩個(gè)或多個(gè)細(xì)胞融合形成雜交細(xì)胞的技術(shù)。其核心原理基于電穿孔效應(yīng)的延伸：

1. 細(xì)胞膜極化與排列：

• 交流電場（AC，頻率0.5–1.5 MHz）使細(xì)胞表面電荷極化，形成偶極子，驅(qū)動(dòng)細(xì)胞沿電場線緊密排列成"珠鏈狀"（雙向電泳效應(yīng)）。

2. 膜穿孔與融合觸發(fā)：

• 短時(shí)高壓直流脈沖（DC，強(qiáng)度1–3 kV/cm，脈寬10–50 μs）擊穿相鄰細(xì)胞的接觸區(qū)細(xì)胞膜，形成臨時(shí)孔隙，脂質(zhì)雙層在表面張力作用下重組融合。

3. 細(xì)胞質(zhì)混合與修復(fù)：

• 膜融合后胞質(zhì)互通，細(xì)胞器重新分布，最終形成完整異核體（細(xì)胞核暫未融合）或多核融合細(xì)胞。

關(guān)鍵突破：1978年Zimmermannshou次實(shí)現(xiàn)植物原生質(zhì)體電融合，奠定技術(shù)基礎(chǔ)。

二、標(biāo)準(zhǔn)化操作流程

1. 細(xì)胞預(yù)處理

2.電融合參數(shù)設(shè)置

• 儀器配置：ECM2001+、Multiporator等系統(tǒng)（集成AC/DC雙功能）。

• 核心參數(shù)：

  步驟	參數(shù)范圍	作用
  AC排列	頻率0.5–1.5 MHz，電壓50–150 V	細(xì)胞定向排列成鏈
  DC脈沖融合	場強(qiáng)1–3 kV/cm，脈寬10–50 μs × 1–3次	擊穿接觸區(qū)細(xì)胞膜
  緩沖液	低離子強(qiáng)度（0.3M甘lu醇 + 0.1–1mM Ca2?）	增強(qiáng)電導(dǎo)率，促進(jìn)膜重組

3. 融合后處理

• 復(fù)蘇培養(yǎng)：37℃培養(yǎng)液靜置30分鐘，修復(fù)細(xì)胞膜。

• 雜交細(xì)胞篩選：

• HAT培養(yǎng)基（雜交瘤技術(shù)）或熒光染料標(biāo)記追蹤融合效率。