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薄膜應(yīng)力分析儀,薄膜應(yīng)力測(cè)試儀,薄膜應(yīng)力儀提供熱循環(huán)和環(huán)境自動(dòng)旋轉(zhuǎn)型號(hào),可對(duì)各種薄膜和襯底進(jìn)行準(zhǔn)確的應(yīng)力測(cè)量,確定和分析沉積薄膜引起的表面應(yīng)力。
薄膜應(yīng)力分析儀,薄膜應(yīng)力測(cè)試儀,薄膜應(yīng)力儀可以在-65°C至500°C的溫度范圍內(nèi)，以每分鐘25°C的加熱速率進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)力測(cè)量（可選擇將冷卻裝置冷卻至-65°C）。了解應(yīng)力隨溫度的變化對(duì)于表征材料特性（如應(yīng)力松弛、水分演變和相變）至關(guān)重要。
對(duì)于應(yīng)力膜，可能會(huì)出現(xiàn)諸如位錯(cuò)、空隙和裂紋之類的缺陷。薄膜應(yīng)力分析儀,薄膜應(yīng)力測(cè)試儀,薄膜應(yīng)力儀有助于排除下列應(yīng)用的故障：
鋁應(yīng)力引起的空隙
鈍化開裂（氮化物、氧化物）
硅中的應(yīng)力誘導(dǎo)位錯(cuò)
電氣試驗(yàn)產(chǎn)量下降
硅化鎢裂解
溫度循環(huán)過程中氧化物的應(yīng)力增加
恒流應(yīng)力測(cè)試（CCST）退化
GaAs上的匹配金屬化擴(kuò)展
高薄膜應(yīng)力導(dǎo)致硅破裂
薄膜應(yīng)力分析儀,薄膜應(yīng)力測(cè)試儀,薄膜應(yīng)力儀規(guī)格參數(shù)（熱循環(huán)型-2320-S）
***大掃描直徑：200mm
測(cè)量范圍：1-4000Mpa
重復(fù)精度：1.3MPa
精度：2.5%或1Mpa
***小半徑：2m
***大半徑：33km
工作溫度：室溫-500℃
晶圓mapping: 手動(dòng)
3D mapping: 可選