微波探測光致電流瞬態譜儀采用微波技術探測材料的光生電流瞬態光譜值,非常適合溫度依賴的少子壽命測量和半導體界面陷阱。
微波探測光致電流瞬態譜儀特點靈敏度：對半導體材料電學缺陷有最高靈敏度
溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測：電學陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數等
重復性精度：> 99.5%，測量時間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據不同材料選擇不同波長激發光源
可訪問性：基于IP的系統允許來自世界任何地方的遠程操作和技術支持
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