Zeta納米電位儀通常是指同時具備納米粒度分析和Zeta電位測量功能的光散射類儀器，其核心用途是表征膠體、納米顆?；蛏锎蠓肿釉谌芤褐械牧椒植己捅砻骐姾桑╖eta電位），從而評估體系穩定性和分散行為。

　　Zeta納米電位儀的測量精度取決于儀器型號和測量技術，但主流設備在粒度和Zeta電位兩項指標上均具備亞微米級甚至納米級的高精度表現，具體如下：

　　粒度測量精度

　　典型精度：±1%（相對誤差）

　　高級型號：通過多角度動態光散射（MADLS）技術，分辨率更高，重復性顯著提升

　　驗證標準：使用NIST可追溯膠乳標準品，準確度可達±2%

　　Zeta電位測量精度

　　典型精度：±3%（相對誤差）

　　高靈敏度技術：采用PALS（相位分析光散射）或M3-PALS技術，靈敏度提升1000倍，適用于低遷移率或高鹽樣品

　　實測驗證：以NISTSRM1980標準水性體系為例，Zeta電位測得值為2.53±0.12μm·cm/V·s，誤差小于5%

　　關鍵影響因素

　　溫控精度：±0.1°C，有效減少熱漂移誤差

　　最小樣品量：部分型號僅需20–50μL，降低稀釋誤差

　　電導率范圍：最高支持260mS/cm，適應高鹽體系

　　如需進行高精度Zeta電位測量，建議使用具備PALS或M3-PALS技術的型號，并確保樣品分散均勻、濃度適中。