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Bi12SiO20晶體基片
  • Bi12SiO20晶體基片
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貨物所在地：安徽合肥市

更新時間：2025-07-19 21:00:05

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Bi12SiO20晶體基片

產(chǎn)品名稱：


硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片

產(chǎn)品簡介：

硅酸鉍(Bi12SiO20)晶體基片簡稱(BSO)是聲表面波器件、體聲波器件、全息記憶以及電光器件的*材料.


技術(shù)參數(shù)：

晶向：

<100>,<110>

晶體結(jié)構(gòu)：

立方

晶格常數(shù)：

a=10.146?

生長方法：

提拉法

熔點：

930℃

密度：

9.2g/cm3

莫氏硬度：

4.5 Mohs

介電常數(shù)：

εS11/ε0 42.7、εT11/ε0 47.5

彈性勁度系數(shù)( x1011N/m2)：

CE11 1.33、CE44 0.25

壓電應(yīng)變常數(shù) (C/m2 )：

e14  1.01

透過范圍 (nm)：

470~7500

電光系數(shù) (x10-12m/V )：

 r41 5

折射率：

 2.45 @ 632.8nm

折射率梯度 (x10-5/cm )：

 ≤5 @ 632.8nm

旋光性 (mm-1 )：

 左邊20° @632.8nm

 透光性 (%)：

 69 @632.8nm


產(chǎn)品規(guī)格：

常規(guī)晶向：<001>、<100>

晶向公差：±0.5°

常規(guī)尺寸：10x10x0.5mm；25x25x0.5mm；

          30x30x0.5mm;50x50x0.5mm；

拋光情況：細磨、雙拋


注：可以根據(jù)客戶要求提供特殊的尺寸及方向。


標準包裝：

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝

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