近日，德國SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）分別在中國科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)順完成了安裝調(diào)試。

   光學(xué)浮區(qū)法單晶生長工藝具有無需坩堝、無污染、生長快速、易于實(shí)時(shí)觀察晶體生長狀態(tài)等諸多點(diǎn)，有于縮短晶體的研究周期并加快難以生長晶體的研究進(jìn)展，非常適合晶體生長研究，近年來備受關(guān)注，現(xiàn)已被廣泛應(yīng)用于各種超導(dǎo)材料、介電和磁性材料以及其它各種氧化物及金屬間化合物的單晶生長。 

圖1：現(xiàn)場安裝培訓(xùn) 

圖2：現(xiàn)場安裝培訓(xùn)  

    目前，高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料的浮區(qū)法單晶生長是大棘手問題，德國SciDre公司推出的HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐成功地克服了這技術(shù)難題。HKZ可提供高達(dá)3000℃以上的生長溫度，晶體生長腔大壓力可達(dá)300bar。HKZ的誕生進(jìn)步化了光學(xué)浮區(qū)法單晶爐的生長工藝條件，使得高熔點(diǎn)、易揮發(fā)性材料的單晶生長成為了可能。

圖3：德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐

德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐技術(shù)色：

◆  能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)大壓力300bar大氣壓（選配）和大溫度>3000℃（選配）；

◆  能夠分別立控制不同氣體的流速和流量，能夠?qū)崿F(xiàn)樣品生長的氣體定速定量混合反應(yīng)；

◆  在保持燈泡輸出功率恒定的情況下，采用調(diào)節(jié)光闌（shutter）的方式對(duì)熔區(qū)進(jìn)行控溫，從而能夠有效延長燈泡使用壽命；

◆  能夠針對(duì)不同溫度需求采用不同功率的燈泡，從而對(duì)燈泡進(jìn)行有效用，大化燈泡使用效率和壽命；

◆  擁有豐富的功能選件可進(jìn)行選擇和拓展，包括熔區(qū)紅外測溫選件、大1×10^-5mbar的真空選件、實(shí)現(xiàn)氧含量達(dá)10-12PPM的氣體除雜選件、對(duì)長成的單晶可提供高壓氧環(huán)境退火裝置選件。

圖4：德國SciDre公司HKZ系列高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐原理示意圖 

    Quantum Design 團(tuán)隊(duì)在中國科學(xué)院固體物理研究所和南昌大學(xué)進(jìn)行的德國SciDre高溫高壓光學(xué)浮區(qū)法單晶爐（HKZ系列）的安裝調(diào)試工作受到了客戶和制造商的*。我們也祝愿廣大Quantum Design用戶科研順！