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600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量...

型號(hào)： BX-Y1246B 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:23:22 對(duì)比

四探針電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀雙電組合電阻率測(cè)試儀
800高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
800高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量...

型號(hào)： BX-Y1246C 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:21:39 對(duì)比

電阻率測(cè)試儀雙電組合電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試儀電阻率儀
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1246D 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:19:23 對(duì)比

雙電組合電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試儀高溫電阻率測(cè)試儀
1200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1246E 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:17:47 對(duì)比

雙電組合電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀高溫四探針電阻率測(cè)試儀
1400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1246F 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:15:39 對(duì)比

雙電組合電阻率測(cè)試儀高溫四探針電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀
1600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1246G 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:13:29 對(duì)比

雙電組合電阻率測(cè)試儀高溫四探針電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀電阻率儀
200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量...

型號(hào)： BX-Y1247 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:11:38 對(duì)比

四探針法電阻率測(cè)試四探針電阻率測(cè)試體積電阻率測(cè)試儀四探針測(cè)電阻率探針電阻率測(cè)試儀
400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量...

型號(hào)： BX-Y1247A 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:09:37 對(duì)比

四探針法電阻率測(cè)試四探針電阻率測(cè)試四探針測(cè)電阻率電阻率測(cè)試儀探針電阻率測(cè)試儀
600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量...

型號(hào)： BX-Y1247B 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:07:30 對(duì)比

高精度電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試電阻率測(cè)試儀四探針測(cè)電阻率探針電阻率測(cè)試儀
800高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
800高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量...

型號(hào)： BX-Y1247C 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:05:10 對(duì)比

電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試四探針測(cè)電阻率四探針測(cè)電阻率電阻率測(cè)試儀
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1247D 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:03:06 對(duì)比

高精度電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試儀四探針測(cè)電阻率探針電阻率測(cè)試儀
1200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1247E 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 10:01:01 對(duì)比

四探針電阻率測(cè)試儀系統(tǒng)高精度智能電阻率測(cè)試儀電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試儀探針電阻率測(cè)試儀
1400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1247F 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 9:59:21 對(duì)比

電阻爐測(cè)試儀雙電組合電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試儀系統(tǒng)四探針電阻率測(cè)試四探針測(cè)電阻率
800高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
800高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)量...

型號(hào)： BX-Y1245C 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 9:35:36 對(duì)比

四探針電阻率測(cè)試儀四探針電阻率四探針方法測(cè)電阻四探針電阻率測(cè)試四探針電阻率檢測(cè)儀
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1000高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1245D 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 9:33:35 對(duì)比

電阻率測(cè)試儀四探針電阻率測(cè)試四探針電阻率四探針電阻率儀四探針法測(cè)電阻率儀
1200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1200高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1245E 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 9:31:52 對(duì)比

四探針法測(cè)電阻率四探針方法測(cè)電阻率四探針電阻率測(cè)試四探針測(cè)電阻率四探針測(cè)電阻率
1400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1400高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1245F 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 9:29:50 對(duì)比

分光光度計(jì) 電阻率測(cè)試儀光度檢測(cè)儀探針電阻率測(cè)試儀四探針電阻率四探針電阻率測(cè)試儀四探針電阻測(cè)試儀
1600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀
1600高溫四探針雙電組合電阻率測(cè)試儀用于：企業(yè)、高等院校、科研部門對(duì)導(dǎo)電陶瓷、硅、鍺單晶（棒料、晶片）電阻率、測(cè)定硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層的方塊電阻以及測(cè)...

型號(hào)： BX-Y1245G 所在地：北京市參考價(jià)：面議更新時(shí)間：2024/5/15 9:28:02 對(duì)比

雙電測(cè)四探針四探針測(cè)電阻率電線電阻率測(cè)試儀四探針測(cè)電阻率四探針測(cè)電阻率

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