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產品簡介
詳細介紹
主要技術指標
（1）儀器采用GB/T 1552-1995硅、鍺單晶電阻率測定直排四探針法
（2）范圍：電阻率10-4～10+4歐姆·厘米，分辨率為10-4歐姆·厘米
方塊電阻10-3～10+5歐姆/□，zui小分辨率為10-3歐姆/□
（3）可測量材料：半導體材料硅鍺棒、塊、片、導電薄膜等
可準確測量的半導體尺寸：直徑≥20㎜
可測量的半導體尺寸：直徑≥8㎜
（4）測量方式：平面測量。
（5）電壓表：雙數字電壓表，可同時觀察電流、電壓變化
A.量程0~199.99 mV
B.基本誤差±（0.004%讀數+0.01%滿度）
C.輸入阻抗﹥1000MΩ
D. 4 1/2位數字顯示，0～19999
（6）恒流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續可調，有交流電源供給
B.量程：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五檔
C.恒流源精度：各檔均≤±0.05%
（7）四探針測試探頭
A.探頭間距1.59㎜
B.探針機械游率：±0.3%
C.探針直徑0.8㎜
D.探針材料：碳化鎢，探針間及探針與其他部分之間的絕緣電阻大于109歐姆。
（8）手動測試架：KDJ-1A 型手動測試架探頭上下由手動操作，可以用作斷面單晶棒和硅片測試，探針頭可上下移動距離：120mm，測試臺面200x200（mm）。
（9）測量系統
KDY測量系統設計語言：VC++，可對四探針、兩探針電阻率測量數據進行處理并修正測量數據，特定數據存儲格式，顯示變化曲線。
兼容性：適用于通用電腦，支持Windows XP。
（10）精度
電器精度：1-1000歐姆≤0.3 %
整機測量精度：1-500歐姆·厘米≤3%
（11）電流：220V±10%，50HZ，功率消耗﹤35W
四探針頭簡介
一、特點
測量電阻率的小游移探針頭。使用幾何尺寸十分精確的紅寶石軸套，確保探針間距的恒定、準確。控制寶石內孔與探針之間的縫隙不大于6μｍ，保證探針的小游移率。采用特制的S型懸臂式彈簧，使每根探針都具有獨立、準確的壓力。量具精度的硬質合金探針，在寶石導孔內穩定運動，持久耐磨。
二、用途
測量硅、鍺單晶（棒料、晶片）、定向結晶多晶硅的電阻率，測定硅外延層、擴散層和離子注入層以及導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻測量。
探針間距1.00mm的探針頭適合測量直徑小于50mm的的直徑單晶片。
探針間距1.59mm的探針頭相對精度高，在SEMI標準中為仲裁探針頭，適合測量直徑大于50mm的的大直徑單晶片，因為探針直徑較粗更加耐磨且不易斷針，所以尤其適合測量硅、鍺單晶棒、塊。
三、規格型號：
KDT-1：探針合力8±1N，探針間距1.00mm，探針直徑0.5 mm，針尖壓痕直徑25—50μｍ，用于測量硅棒、硅塊
KDT-2：探針合力8±1N，探針間距1.59mm，探針直徑0.8 mm，針尖壓痕直徑25—50μｍ，用于測量硅棒、硅塊
KDT-3：探針合力6±1N，探針間距1.00mm，探針直徑0.5 mm，針尖壓痕直徑50—100μｍ，用于測量硅片
KDT-4：探針合力6±1N，探針間距1.59mm，探針直徑0.8 mm，針尖壓痕直徑50—100μｍ，用于測量硅片
KDT-5：探針合力4±1N，探針間距1.00mm，探針直徑0.5 mm，針尖壓痕直徑100—250μｍ，用于測量硅外延層、擴散層和離子注入層、導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻
KDT-6：探針合力4±1N，探針間距1.59mm，探針直徑0.8 mm，針尖壓痕直徑100—250μｍ，用于測量硅外延層、擴散層和離子注入層、導電玻璃（ITO）和其它導電薄膜的方塊電阻
在探針頭型號后綴帶B、A、AA、AAA為探針頭等級，如KDT-2B，這類探針為焊接式，探針頭測量精度高、穩定性好，維修一般需寄回廠家，使用次數大于5萬次（人為因數斷針、連接線除外）。
在探針頭型號后綴帶P 的為探針可拔插式，如KDT-2P，這種探針更換方便，彈簧使用壽命長可達百萬次，測量穩定性稍差，這類探針頭都屬于B級探針頭。
四、技術指標
探針頭主要分為4個等級，其中AA、AAA級提供中國計量院檢測報告，A級提供本公司的檢測報告。
游移率 B級……………＜0.5%
A級……………＜0.3%
AA級………… ＜0.2%
AAA級…………＜0.1%
間距偏差 B級…………… ＜3%
A級…………… ＜2%
AA級………… ＜2%
AAA級………… ＜1%
探針針與導孔間隙小于0.006mm，探針機械游移率低，從而保證測量重復性
探針材料：硬質合金（主成份：碳化鎢）
500V絕緣電阻：＞1000MΩ
七、外形尺寸及安裝：探頭基本外徑為25.4mm（1英寸），可安裝在內徑為26mm的套筒上。