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上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)有限公司

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當(dāng)前位置:> 供求商機(jī)> TIVH02L-氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測(cè)量IsoVu光隔離

TIVH02L-氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測(cè)量IsoVu光隔離
TIVH02L-氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測(cè)量IsoVu光隔離

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更新時(shí)間:2025/4/16 21:00:08

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供應(yīng)簡介
氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測(cè)量IsoVu光隔離
中國臺(tái)灣孕龍ZEROPLUS一級(jí)代理商
美國DESCO一級(jí)代理商
德國科納沃茨特KLEINWACHTER一級(jí)代理商
日本愛斯佩克ESPEC一級(jí)代理商
美國是德KEYSIGHT(原安捷倫Agilent電子事業(yè)部)特約經(jīng)銷商
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詳細(xì)介紹

專業(yè)儀器設(shè)備和測(cè)試方案供應(yīng)商——上海堅(jiān)融實(shí)業(yè)有限公司JETYOO INDUSTRIAL & 堅(jiān)友(上海)測(cè)量儀器有限公司JETYOO INSTRUMENTS,由前安捷倫Agilent【現(xiàn) 是德KEYSIGHT】產(chǎn)品技術(shù)支持工程師——堅(jiān) JET 和 吉時(shí)利KEITHLEY【現(xiàn) 泰克Tektronix】忠實(shí)用戶使用工程師——融 YOO于2012年共同創(chuàng)立,志在破舊立新!*電子測(cè)量行業(yè)代理經(jīng)銷商只專業(yè)做商務(wù)銷售,不專業(yè)做售前測(cè)試方案,不專業(yè)做售后使用培訓(xùn)的空白。我們的技術(shù)銷售工程師均為本科以上學(xué)歷,且均有10年以上儀器行業(yè)工作經(jīng)驗(yàn),專業(yè)為中國區(qū)用戶提供儀器設(shè)備、測(cè)試方案、技術(shù)培訓(xùn)設(shè)備維修、實(shí)驗(yàn)室建設(shè)和搬遷服務(wù),為上海華東地區(qū)一家以技術(shù)為導(dǎo)向的儀器設(shè)備綜合服務(wù)商。


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氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測(cè)量IsoVu光隔離探頭TIVH02L

IsoVu ® 探頭具有業(yè)內(nèi)*的 1 GHz 帶寬、160 dB 或 100,000,000:1 的共模抑制比、60 kV 共模電壓、± 2500 V 大差分范圍和探頭負(fù)載,是適合解決當(dāng)今嚴(yán)苛功率測(cè)量挑戰(zhàn)的工具。  

 

氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測(cè)量可能耗時(shí)較長且在某些情況下不可能實(shí)現(xiàn)。了解 Panasonic 等公司如何改用 IsoVu 來縮短上市時(shí)間。

 

氮化鎵GaN/碳化硅SiC功率測(cè)量IsoVu光隔離探頭TIVH02L優(yōu)化性能和效率

功率設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)只有在開關(guān)電路、門極驅(qū)動(dòng)電路及布局都正確設(shè)計(jì)和優(yōu)化時(shí)才能實(shí)現(xiàn)。IsoVu 可用于:

檢定門驅(qū)動(dòng)器、Vgs、Vds 和 Is

檢定高壓側(cè)和低壓側(cè)事件的時(shí)間對(duì)準(zhǔn)

優(yōu)化和調(diào)整開關(guān)特點(diǎn)

 

氮化鎵GaN,碳化硅SiC功率損耗測(cè)量IsoVu光隔離探頭TIVH02L

型號(hào) 帶寬 差分電壓 共模電壓 共模抑制比 光纖電纜長度 

TIVH02

200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:100 dB 

200 MHz:100 dB 3 米

 

TIVH02L

200 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:100 dB 

200 MHz:100 dB 10 米

 

TIVH05

500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:100 dB 

500 MHz:80 dB 3 米 

 

TIVH05L

500 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:100 dB 

500 MHz:80 dB 10 米

 

TIVM1

1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:120 dB 

1 GHz:80 dB 3 米

 

TIVH08

800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:100 dB 

800 MHz:75 dB 3 米

 

TIVM1L

1 GHz ±50 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:120 dB 

1 GHz:80 dB 10 米 

 

TIVH08L

800 MHz ± 2500 V ≤ 60 kV DC:> 160 dB

100 MHz:100 dB 

800 MHz:75 dB 10 米 

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