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變頻器的設(shè)計技巧

點擊次數(shù):1028 發(fā)布時間:2017-9-12

現(xiàn)今的可調(diào)速驅(qū)動電路都采用變頻器來調(diào)整輸出電流,以滿足三相馬達(dá)的要求。變頻器的形狀大小通常會受到應(yīng)用的限制。在許多情況下,電路板與馬達(dá)靠得很近,而馬達(dá)構(gòu)造的高度也會受限。另外,所用高功率半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)和所選封裝的形狀,也要求電路板上有足夠的位置空間。功率半導(dǎo)體開關(guān)工作期間產(chǎn)生的電壓、電流交疊會造成損耗,必須將其消除。雖然功率耗散問題可以通過加設(shè)散熱片而得到改善,但這也會限制半導(dǎo)體器件在電路板上的布局安排。

         變頻器是達(dá)到EcoDesign節(jié)能要求的關(guān)鍵技術(shù)。美國電力科學(xué)研究院(Electric Power Research Institute)的研究表明,采用變頻器的馬達(dá)比無變頻器的馬達(dá)節(jié)能多達(dá)40%。無論是感應(yīng)馬達(dá)、永磁同步馬達(dá),還是無刷直流馬達(dá),都可由變頻器為其產(chǎn)生正弦電流。為此,開關(guān)頻率必須比變頻器的可調(diào)輸出頻率高幾個數(shù)量級。而經(jīng)脈沖寬度調(diào)制的輸出電壓則會施加在電感性負(fù)載上。因此,輸出電流與電壓的平均值成正比。開關(guān)頻率越高,對變頻器越有利;而驅(qū)動的扭矩波動越小,動態(tài)響應(yīng)性能便更高,噪聲也會變得更低。這就要求開關(guān)速率快,而開關(guān)速率快意味著di/dt和dv/dt的變化率通常都很高。因此,電路寄生就成為一個大問題,設(shè)計人員必須努力解決這個問題,才能滿足目前和未來的EMC標(biāo)準(zhǔn)要求。

        成本是電路布局必須考慮的另一個約束因素。許多情況下,都采用雙面電路板。而電路板上的不同區(qū)域常常只能使用一種焊接工藝。因此,就提高成本效益而言,表面貼裝半導(dǎo)體器件是越來越受歡迎的解決方案。

設(shè)計考慮因素

         目前,大功率半導(dǎo)體器件(如IGBT和MOSFET)的發(fā)展趨勢是在提升性能的前提下不斷縮小芯片尺寸。減小芯片尺寸能減少器件的寄生電容,從而提高開關(guān)速率。因此,深入研究電路板上的關(guān)鍵回路越來越重要。圖1為電壓源變頻器(voltage source inverter,VSI)的兩種典型開關(guān)工作方式的簡化示意電路。在開關(guān)頻率受限的大電流應(yīng)用中,IGBT是的器件。上圖所示為從高壓側(cè)(HS)續(xù)流二極管到低壓側(cè)IGBT的換流。電流zui初是在高壓側(cè)二極管和相應(yīng)反相半橋的IGBT形成的續(xù)流通道中。
 


圖1   簡化的換向電路


        一旦低壓側(cè)柵極驅(qū)動電路導(dǎo)通了IGBT,就會有短路電流經(jīng)過高壓側(cè)二極管和低壓側(cè)IGBT。其結(jié)果是二極管電流降低,IGBT電流相應(yīng)增加(自然換相:1?2),在開關(guān)期間,電感性負(fù)載的電流可視為常數(shù)。因此,雜散部件與該通道無關(guān)。開關(guān)速率由低壓側(cè)IGBT的導(dǎo)通和半橋的雜散電感來決定。要實現(xiàn)從低壓側(cè)IGBT到高壓側(cè)續(xù)流二極管的反向換流,低壓側(cè)IGBT上的壓降必須大于直流總線電壓,以導(dǎo)通續(xù)流二極管。因此,IGBT在與二極管換流(強(qiáng)制換相:2?1)之前必須能同時承受高電壓和大電流。

        在圖1中,電壓源變頻器的臨界電流路徑被標(biāo)為紅色陰影,其特征是di/dt變化率高,這個特征也表現(xiàn)在對應(yīng)的柵極驅(qū)動電路上。要保證柵極驅(qū)動電路安全的工作,就要zui大限度地減小雜散電感。尤其是高壓側(cè)柵極驅(qū)動電路,存在一個由低壓側(cè)二極管和電流通道上的阻性和感性壓降所引起的,且幅度超過VSzui小允許電壓的負(fù)壓,會導(dǎo)致電路工作異常。
 

 

 


        其中一個解決方法是通過增加?xùn)艠O電阻來降低開關(guān)速率,然而這卻會大幅增加開關(guān)損耗。在這情況下,便需要優(yōu)化電路板布局,充分利用電壓源變頻器的整體性能。為了去除功率區(qū)和信號區(qū)的耦合,兩個區(qū)域的接地應(yīng)當(dāng)分開。柵極驅(qū)動器應(yīng)盡可能靠近IGBT,且不要有任何回路或偏差。微控制器和柵極驅(qū)動之間的信號通道不是非常關(guān)鍵的。分立的IGBT管腳引線應(yīng)盡可能短,以zui大限度地減少寄生電容和電感。封裝在一起的6個IGBT和柵極驅(qū)動器的安排需要周密考慮。此外,散熱片上的器件需要配備適當(dāng)?shù)慕^緣片。許多情況下,電路板的邊沿都需要有大塊的散熱片。

         為了克服以上約束,采用智能功率模塊(inligent power module (IPM),也稱為Smart Power Module(SPM®))。圖2所示為一個典型的全封閉模塊,它包含一個完整的三相電壓源變頻器,以及相應(yīng)的柵極驅(qū)動器和保護(hù)電路。采用這種模塊比分立元件方案節(jié)省電路板空間多達(dá)50%。尤其是這種模塊需要的外接部件極少,在設(shè)計上就考慮了EMC的要求。其峰值和平均EMC干擾強(qiáng)度比傳統(tǒng)設(shè)計低很多。
 


圖2 智能功率模塊


        與電壓源變頻器的分立元件方案類似,采用智能功率模塊時也要注意外部元件的布局安排。圖3所示為針對Motion-SPMTM應(yīng)用的一些建議。由于電壓源變頻器的開關(guān)速率很快,信號接地和功率接地必須分開。兩種接地在15V Vcc電容處互接。Vcc電容和功率接地之間的通道要狹窄,以去除耦合。為防止電涌造成破壞,引腳P與功率接地之間應(yīng)當(dāng)有一個低電感電容。另外,由于電壓源變頻器和馬達(dá)之間的長引線會造成高壓反射,因此一些SPM產(chǎn)品配備了外接?xùn)艠O電阻來調(diào)節(jié)開關(guān)速率和zui大限度地減少反射。
 


圖3  布局建議
 

 


圖4  模塊安裝翹曲的夸大示意圖

 

元件安裝考慮因素

        除TinyDIP/SMD外,SPM的表面都會有一定的翹曲。圖4為這種翹曲的一個夸張示意。模塊是用一些從表面中間穿出的螺絲緊固在散熱片上。如果安裝恰當(dāng),這種凸?fàn)畋砻婺鼙WC有足夠的熱量從模塊傳遞到散熱片。如果緊固螺絲用力不均,就可能在模塊內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力,導(dǎo)致模塊破損或性能下降。建議采用圖4所示的螺絲緊固順序(先按1?2的順序預(yù)緊固,再按2?1的順序zui終緊固)。通常,預(yù)緊固扭矩為zui大額定緊固扭矩的25%。只要散熱片與器件緊貼好了,就可通過SPM的內(nèi)置熱敏電阻獲取散熱片的溫度,從而簡化電路板的設(shè)計。
 

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