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當前位置:
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[供應]探針臺/冷熱臺 高溫氧化負溫結霜
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  • 探針臺/冷熱臺 高溫氧化負溫結霜
貨物所在地:
北京北京市
更新時間:
2025-06-04 18:07:52
有效期:
2025年6月4日 -- 2026年6月7日
已獲點擊:
303
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產品簡介

探針臺/冷熱臺 高溫氧化負溫結霜,半導體參數測試儀與MM探針臺/系統集成支持二極管、三極管、MOS管等半導體器件以及材料的直流電流-電壓(I-V)測量,準靜態和中頻電容-電壓(C-V)測量,時域測量等。

詳細介紹

半導體參數測試儀與MM探針臺

功能:

可提供直流電壓/電流輸出,直流電壓/電流測量和交流信號輸出以及阻抗測量



主要技術指標:


探針臺:

1.探針臺主機:卡盤XY運動范圍200mm*200mm,Z軸運動范圍25mm

2.絲桿軸承確保移動,分辨率3.5um

3.針座:精度0.7um

4.加熱臺: 溫度范圍室溫-400℃


半導體參數測試儀與MM探針臺


半導體參數測試儀

1.直流I-V測試:

具有4路SMU,其中2路中等功率SMU,2路高分辨率SMU, 可同時測量電壓分辨率0.5μV、電流分辨率0.1fA

2.C-V測試:頻率1KHz-5MHz;偏置電壓:±25V;測量精度±0.2 %

3.可實現C-V和I-V測量間自動切換,不會影響測量精度

4.脈沖IV:

提供兩路快速IV/脈沖輸出,具有任意波形產生功能

脈沖寬度:50ns;脈沖電平范圍:-5V~+5V,+/-10V~0V (50 Ω負載);電壓測量精度:±0.1%讀值, ±0.1% 量程;電流測量精度:±0.1% 讀值, ± 0.2% 量程

主要用途

支持二極管、三極管、MOS管等半導體器件以及材料的直流電流-電壓(I-V)測量,準靜態和中頻電容-電壓(C-V)測量,時域測量等。


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華測相關設備:

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半導體參數測試儀與MM探針臺/系統集成

半導體參數測試儀與MM探針臺/系統集成




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