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可控硅測量儀
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更新時間:2025-04-02 21:00:06

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可控硅測量儀(又名:全系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀),是2005年研究設計成功的
一種新穎的數字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合器參數測試裝置。

一、概述:
可控硅測試儀,是一種新穎的全數字顯示式多功能可控硅參數測試裝置,它可以測量各種大小功率的單雙向可控硅(晶閘管),小至TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等封裝的單雙向可控硅,大至1000A 的平板型可控硅、螺栓型可控硅和各種組合模塊,可以測量觸發電流IGT、觸發電壓VGT、斷態不重復峰值電壓VDSM、反向不重復峰值電壓VRSM等可控硅主要參數,該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質量檢驗、參數的配對、可控硅設備的維修之用。儀器還可以用于其它電子元器件的高低壓耐壓測試,如:大中小功率的二極管、三極管、場效應管的耐壓,壓敏電阻的電壓值,觸發二極管的轉折電壓等。

二、主要應用范圍:

1、可以測量0.5A-1000A以下的單雙向可控硅及各種可控硅模塊的IGT、VGT、VDSM、VRSM 。

2、可以測量可控硅的雙向觸發二極管的轉折電壓。

3、可以測量各種大小功率的二極管、三極管、穩壓管、場效應管、IGBT及各種模塊的擊穿電壓。

4、可以測量各種大小功率的壓敏電阻、放電管等的擊穿電壓。

5、可以測量非電解類小容量電容器的耐壓(尤其可以測量4KV以下的小容量高壓電容)。

6、一般可控硅測試采用0-4KV等級的儀器已能滿足要求,若有其它特殊要求可以定制zui高達0-12KV的儀器。

三、可控硅測量儀主要技術參數:

1、觸發電壓VGT測量范圍: 0—5V , 精度 ≤2.5%。

2、觸發電流IGT 測量范圍: 0—19.99mA ,0—199.9mA , (分兩檔) 精度 ≤2.5%。

3、可控硅耐壓參數測試用高壓輸出和測量范圍: 0—2KV、 0—4KV ,(分兩檔) 精度 ≤2.5% 。

4、其它電子原器件耐壓測試用高壓輸出和測量范圍: 0—2KV、 0—4KV 。

四、產品特點是:

1、實用性強

2、測量范圍廣

3、使用方便

4、采用一種特殊的可調恒壓限流電源可確保在測試耐壓的過程中不易損壞被測器件。

五、可測試類型:

1、平板型大功率可控硅(晶閘管)的測試
2、螺栓型中大功率可控硅(晶閘管)的測試
3、利用塑封管測試盒可以測量從TO-92到TO-3P等各種封裝的可控硅
4、塑封中小功率可控硅(晶閘管)的測試
5、可控硅(晶閘管)模塊的測試

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