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光刻工藝簡略介紹
閱讀：2182 發布時間：2016-7-9
光刻工藝主要步驟1. 基片前處理為確保光刻膠能和晶圓表面很好粘貼，形成平滑且結合得很好的膜，必須進行表面準備，保持表面干燥且干凈，2. 涂光刻膠涂膠的目標是在晶圓表面建立薄的、均勻的，并且沒有缺陷的光刻膠膜。3. 前烘(軟烘焙)前烘的目的是去除膠層內的溶劑，提高光刻膠與襯底的粘附力及膠膜的機械擦傷能力。4. 對準和曝光(A＆E) 保證器件和電路正常工作的決定性因素是圖形的準確對準，以及光刻膠上的圖形尺寸的形成。所以，涂好光刻膠后，*步是把所需圖形在晶圓表面上準確定位或對準。第二步是通過曝光將圖形轉移到光刻膠涂層上。5. 顯影顯影是指把掩膜版圖案復制到光刻膠上。6. 后烘(堅膜)經顯影以后的膠膜發生了軟化、膨脹，膠膜與硅片表面粘附力下降。為了保證下一道刻蝕工序能順利進行，使光刻膠和晶圓表面更好地粘結，必須繼續蒸發溶劑以固化光刻膠。 7. 刻蝕刻蝕是通過光刻膠暴露區域來去掉晶圓zui表層的工藝，主要目標是將光刻掩膜版上的圖案地轉移到晶圓表面。8. 去除光刻膠刻蝕之后，圖案成為晶圓zui表層*的一部分。作為刻蝕阻擋層的光刻膠層不再需要了，必須從表面去掉。
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