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美國SVT激光分子束外延設備/LMBE/Laser MBE：
Laser MBE具備PLD和傳統MBE的特點，對薄膜的生長速率進行精確（原子層級別）控制。設備特點是在MBE系統上增加激光燒蝕工藝，系統可以生長包括高熔點陶瓷以及多元素固體材料等各種材料。SVT有20年的MBE設備制造經驗，我們擅于通過在線監控薄膜生長來提高薄膜質量。
產品簡介
詳細介紹
產品簡介：
Laser MBE具備PLD和傳統MBE的特點，對薄膜的生長速率進行精確（原子層級別）控制。設備特點是在MBE系統上增加激光燒蝕工藝，系統可以生長包括高熔點陶瓷以及多元素固體材料等各種材料。SVT有20年的MBE設備制造經驗，我們擅于通過在線監控薄膜生長來提高薄膜質量。所采用的在線監控儀器包括：溫度測量儀、厚度測量儀、RHEED、束流監控儀等。如果您想了解更多這方面的信息，請。
應用
氧化物半導體、高溫超導材料、光學晶體材料、電光學薄膜、鐵電以及鐵磁材料等
標準性能
● 超高真空（本底壓強<1E-10 Torr）
● 集成多種類型源，包括：
- RF等離子體源
- 熱蒸發源
- 電子束蒸發源
- 臭氧傳送系統
● 良好的在線監控儀（可選）
- 原子吸收束流監控儀
- RHEED
- 溫度以及厚度測量儀
● 6個可旋轉PLD靶
● 高功率準分子激光器
● 提供合適的泵抽組合
● 多種腔室配置以滿足您的需求
● 培訓以及服務支持
技術參數：
Nitride Systems
Oxide Systems
Silicon Systems
Metal Organic Systems
Generic III-V and II-VI Systems
Compact MBE System (pdf brochure)
Dual Chamber MBE System (pdf brochure)