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泰州巨納新能源有限公司
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硫化鍺晶體

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所  在  地泰州市

更新時間:2024-06-02 20:30:52瀏覽次數:1881次

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供貨周期 現貨 應用領域 化工,地礦,能源
硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)
晶體尺寸:~10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%

硫化鍺晶體 GeS(Germanium Sulfide)
晶體尺寸:~10毫米
電學性能:半導體
晶體結構:斜方晶系
晶胞參數:a = 1.450, b = 0.364 nm, c = 0.430 nm, α = β = γ = 90°
晶體類型:合成
晶體純度:>99.995%


X-ray diffraction on a single crystal GeS aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 4 XRD peaks correspond, from left to right, to (h00) with h = 2, 4, 6, 8


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal GeS. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal GeS by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


Raman spectrum of a single crystal GeS. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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