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泰州巨納新能源有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第4年

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二硒化錫晶體(99.995) SnSe2

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌其他品牌

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地泰州市

更新時(shí)間:2024-06-03 12:14:52瀏覽次數(shù):1014次

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二硒化錫晶體 SnSe2 (Tin Selenide)
晶體尺寸:~8毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類(lèi)型:合成
晶體純度:>99.995%

二硒化錫晶體 SnSe2 (Tin Selenide)
晶體尺寸:~8毫米
電學(xué)性能:半導(dǎo)體
晶體結(jié)構(gòu):六邊形
晶胞參數(shù):a = b = 0.381, c = 0.614 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類(lèi)型:合成
晶體純度:>99.995%


X-ray diffraction on a SnSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 1, 2, 3, 4, 5


Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal SnSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.


Stoichiometric analysis of a single crystal SnSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).


Raman spectrum of a single crystal SnSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.


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