要進行等離子處理產品,首先我們產生等離子體。首先，單一氣體或者混合氣體被引入密封的低壓真空等離子體室。隨后這些氣體被兩個電極板之間產生的射頻(RF) 激活，這些氣體中被激活的離子加速，開始震動。這種振動“用力擦洗”需要清洗材料表面的污染物。
在處理過程中,等離子體中被激活的分子和原子會發出紫外光，從而產生等離子體輝光。溫度控制系統常用于控制刻蝕速率。60 - 9d攝氏度溫度之間刻蝕，是室溫刻蝕速度的四倍。對溫度敏感的部件或組件,等離子體蝕刻溫度可以控制在15攝氏度。我們所有的溫度控制系統已經預編程并集成到等離子體系統的軟件中間。設置保存每個等離子處理的程序能輕松復制處理過程。
可以通過向等離子體室中引入不同氣體，改變處理過程。常用的等離子處理氣體包括02、N2,Ar,H2 和CF4。世界各地的大多數實驗室，基本上都使用這五種氣體單獨或者混合使用，進行等離子體處理。
等離子體處理過程通常需要大約兩到十分鐘。當等離子體處理過程完成時,真空泵去除等離子室中的污染物，室里面的材料是清潔,消過毒的,可以進行粘接或下一步程序。
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