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琉化鋅晶體光學材料：作為一個重要的二，六化合物半導體，硫化鋅納米材料已經引起了極大的關注，不僅因為其出色的物理特性，如能帶隙寬，高折射率，高透光率在可見光范圍內，而且其巨大的潛力應用光學，電子和光電子器件。

琉化鋅晶體光學材料作為一個重要的二，六化合物半導體，硫化鋅納米材料已經引起了極大的關注，不僅因為其出色的物理特性，如能帶隙寬，高折射率，高透光率在可見光范圍內，而且其巨大的潛力應用光學，電子和光電子器件。硫化鋅具有優良的熒光效應及電致發光功能，納米硫化鋅更具有的光電效應，在電學、磁學、光學、力學和催化等領域呈現出許多優異的性能，因此納米硫化鋅的研究引起了更多人的重視，尤其是1994年Bhargava報道了經表面鈍化處理的納米ZnS：Mn熒光粉在高溫下不僅有高達18% 的外量子效率，其熒光壽命縮短了5個數量級，而且發光性能有了很大的變化，更為ZnS在材料中的應用開辟了一條新途徑。可用于制白色的顏料及玻璃、發光粉、橡膠、塑料、發光油漆等。

Zinc sulfide is commonly used for IR optics, substrates and as a source for evaporation.

琉化鋅晶體光學材料Basic properties

Structure:	Cubic (zincblende)
Density:	4.08 g/ cm³
Knoop Hardness:	210 kg/ mm²
Young’s Modulus:	10.8 Mpsi
Poisson Ratio:	0.27
Coef. of Thermal Expansion:	6.8×10-6/K
Specific Heat:	0.469 J/gK
Thermal conductivity (at 25 °C):	0.16 W/cmK
Max. Transmittance (λ=7-12 μm):	≥ 71 %
Absorption Coef. (λ=10.6 μm):	≤0.15 cm-1(including 2 surfaces)
Thermo-Optic Coef. (dn/dT):	4.7 (λ =10.6 μm)
Refractive index (λ=10.6 μm):	2.34
Electrooptical coefficient r41 (λ=10.6 μm):	2×10-12 m/V
Max. crystal diameter/length:	?38×30 mm

ZnS Transmission

Products

ZnS rods, wafers and substrates

Diameter/Width	1-38 mm
Thickness/length	0.1-150 mm
Orientation	(110)
Surface quality	As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

ZnS crystal pieces for vapour deposition.

Purity	99.995%, 99.999%
Particle size	0.01- 10 mm

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