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西安立鼎光電科技有限公司
中級(jí)會(huì)員 | 第6年

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LD-FPA-320×256-C-CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
  • LD-FPA-320×256-C-CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片
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更新時(shí)間:2025-04-16 21:00:08

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CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此二維銦鉀砷面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm,目前可做到320x256和640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合,同時(shí)采用LCC及Kovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。同時(shí),我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,此二維銦鉀砷面陣探測(cè)器的響應(yīng)波段為900-1700nm,目前可做到320x256640x512陣列。此陣列探測(cè)器利用覆晶裝訂技術(shù)可以使其與讀出電路緊密結(jié)合,同時(shí)采用LCCKovar氣密封裝,且表面鍍有抗反射膜。同時(shí),我們可以根據(jù)客戶的需求定制封裝不同的產(chǎn)品。

Features(特點(diǎn))

Large Sensing Area大感光面

High Responsitivity高響應(yīng)率

High Sensitivity高靈敏度

High Shunt Resistance高阻抗

Low Dark Current低暗電流

High Dynamic Range高動(dòng)態(tài)范圍

Optical Powering視覺影像

 

 

 

Applications(應(yīng)用)

Power Measurement功率測(cè)量

IR Sensing紅外線測(cè)量

Spectrography光譜分析

Medical and Chemical Devices

醫(yī)學(xué)和生化檢測(cè)

Temperature Sensors溫度測(cè)量

Light Detection and Ranging (LIDAR)

 

 

1.1FPA-320x256InGaAs Imager0.9um-1.7um

CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片,InGaAs焦平面陣列是應(yīng)用在900nm-1700nm的近紅外成像和成像光譜技術(shù),尤其是在非制冷條件下的優(yōu)化解決方案,CLPT的核心技術(shù)是實(shí)現(xiàn)優(yōu)良品質(zhì)的InGaAs焦平面陣列,CLCC封裝也便于CCDCMOS數(shù)碼相機(jī)制造商的機(jī)械設(shè)計(jì)。CLPT中華立鼎非制冷銦鎵砷InGaAs短波紅外芯片

Features(特點(diǎn))

320*256 陣列格式

30um 象元間距

CLCC 封裝

低暗電流

高量子效率

高可操作性

 

 

 

Applications(應(yīng)用)

近紅外成像

超光譜

秘密監(jiān)察

半導(dǎo)體檢測(cè)

天文學(xué)和科學(xué)

工業(yè)熱成像

 

 

zui大額定值

參數(shù)

單位

zui小值

zui大值

工作溫度范圍

-20

85

儲(chǔ)存溫度范圍

-40

85

功耗

mW

---

175

FPA特性

參數(shù)

典型值

條件

光譜響應(yīng)

0.9um-1.7um

---

zui小像素的可操作性

>99%

318*254內(nèi)的中心地區(qū)

暗電流

<0.4PA

25,0.1V 探測(cè)器偏壓

量子效率

>70%

λ=1.0um-1.6um

探測(cè)率

≥5*1011Jones

25, λ=1.55um,T=16ms,高增益

響應(yīng)非均勻性

<10%

飽和度低于50%,25

非線性(zui大偏差)

<2%

超過10%-90%滿阱容量

zui大像素率

10MHz

---

增益

High:14.38uV/e-

Low:0.77 uV/e-

25

 

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