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西安立鼎光電科技有限公司
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美國EOS砷化銦InAs光電探測器(1.0um-3.8um)
  • 美國EOS砷化銦InAs光電探測器(1.0um-3.8um)
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貨物所在地:陜西西安市

地: 美國

更新時間:2025-04-16 21:00:08

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美國EOS砷化銦InAs光電探測器(1.0um-3.8um):
簡介:在室溫的條件下,該產品具有很高的靈敏度,還有一些附件支持,如濾光片(長波濾光片和帶通濾光片)、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應用在工業的控制系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備。

美國EOS砷化銦InAs光電探測器(1.0um-3.8um):

簡介:在室溫的條件下,該產品具有很高的靈敏度,還有一些附件支持,如濾光片(長波濾光片和帶通濾光片)、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應用在工業的控制系統、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備。

 

美國EOS砷化銦InAs光電探測器(1.0um-3.8um)

室溫條件下:

型號

InAs-010

InAs-020

Active  Diameter (mm)

1.0

2.0

Operating Temperature (℃)

22

22

Operating Wavelength(μm)

1.0-3.4

1.0-3.4

Shunt Resistance (Ω)typ

≥15

≥10

Shunt Capacitance (pF),typ

400

1200.nom

NEP @1.3μm  (W/Hz1/2)

33x10-12

5.5x10-11

Responsivity(A/W)

1.0 @3.2μm

0.8 typ

二級制冷條件下:

型號

InAs-010-TE2_TO8

InAs-020-TE2_TO8

Operating Temperature (℃)

-30

-30

Responsivity(A/W)

1.4 min@3.2μm

1.5

Shunt Resistance (Ω)

500

100

Shunt Capacitance (pF)

450

1200

Thermistor Resistance (KΩ)

40.0typ

40.0typ

Cooler Current(A)

0.65TYP

0.65TYP

Max Cooler Current (A)

1.25

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