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關于高溫無氧烘箱的工作原理
閱讀：458 發(fā)布時間：2023-8-18關于高溫無氧烘箱的工作原理
無氧烘箱通過合理設計和反復試驗，使高溫下的溫度均勻性得到很好的控制，大大提高了產(chǎn)品的可靠性和實用性。
1.工作間采用優(yōu)質鋼板或不銹鋼板，外部鋼板涂有粉末涂料。
2、微電腦智能溫控器具有雙數(shù)字顯示、定時、功率抑制、溫度設定和測量自校正等功能，溫度控制準確可靠。無氧烘箱主要用于半導體晶圓光刻膠涂覆前基板的預烘焙、涂覆后的軟烘焙、曝光和顯影后硬膜的硬烘焙等。基于TCP/IP協(xié)議的智能烤箱工藝管理系統(tǒng)用于與工廠系統(tǒng)連接，實現(xiàn)自動烘焙和工藝管理。易于控制，操作簡單，靈活性強。高精度控制，智能操作，人性化結構，大大提高生產(chǎn)效率!
無氧烘箱干燥工藝的功能
為了獲得平坦且均勻的光致抗蝕劑涂層，并確保光致抗抗蝕劑與芯片之間的良好粘合，通常在粘合之前對芯片進行預處理。預處理的一步通常是脫水和烘烤，并在真空或干燥氮氣機中在150~200℃下烘烤。該工藝的目的是去除吸附在晶片表面上的水。在該溫度下，單分子水層保留在晶片表面上。
涂膠后，晶片烘焙一次，這稱為軟烘焙或預烘焙。工藝功能是去除膠水中的大部分溶劑，并固定膠水的暴露特性。通常，軟干燥時間越短或溫度越低，膠在顯影劑中的溶解速率越高，靈敏度越高，但對比度越低。事實上，軟烘焙過程需要通過優(yōu)化對比度以保持可接受的靈敏度來實驗確定。典型的軟烘烤溫度為90~100℃，時間從加熱板的30秒到烤箱的30分鐘。
在晶片被開發(fā)之后，還需要在高溫下烘烤晶片，以用于隨后的高能工藝，例如離子注入和等離子體蝕刻，稱為后烘焙或硬烘焙。該過程旨在：減少駐波效應;化學增強型光致抗蝕劑產(chǎn)生的酸被激發(fā)，與光致抗抗蝕劑上的保護基反應，并去除該基團，使其溶解在顯影劑中。
無氧烘箱用于半導體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃等材料的涂膠前預處理烘焙、涂膠后硬化烘焙、顯影后高溫烘焙，強制空氣循環(huán)。雙風道循環(huán)結構，均勻的溫度場分布，智能溫度控制系統(tǒng)，更合適的溫度控制精度。
清潔烤箱和無氧烘箱的操作要求：
1.氮氣口：操作前，將氨氣連接到機器的氨氣口。連接前，特別注意將N2壓力調(diào)整到適當?shù)牧髁恐怠?.將烤好的食物放入盒子后，關上門。門扣緊固后，門安全開關工作，機器可以順利啟動。3.烤箱背面的冷卻空氣出口應連接到冷卻過程中溫度較高的排氣系統(tǒng)。連接管絕緣，以防止人員燙傷或影響工作環(huán)境。清潔烤箱。無氧烘箱的維護要求：
清理表面灰塵，保持機器清潔衛(wèi)生;
檢查通風口是否堵塞，清理灰塵，檢查風扇是否正常運行，突然切斷電源。關閉加熱開關，防止電源接通時自動啟動。維護人員檢查電流是否正常，檢查電路和開關是否正常，特別注意差壓表的壓力值，確認HEPA過濾器的過濾效果