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• 實驗項目：

  1.模擬法測繪靜電場；

  2.亥姆霍茲線圈磁場測量；

  3.線圈的磁場描繪；

  規格參數：

  采用導阻微晶

  雙層結構：200*90mm；

  描繪平臺：200*200*4mm電極板可自由更換；

  激光描點：激光電源功率2mw，波長625nm，工時大于2萬小時；

  鍍金彈性探頭，接觸電阻小；

  鍍金電極；

  電阻微晶介質：125*125*0.2mm；

  電極板基材：200*150*3mm；

  電壓輸出：DC 0-12V連續可調，數顯精度0.01V，短路保護；

  電極板：同軸電纜、平行板電容；

  坐標平臺：270*270mm；

  亥姆霍茲線圈：R=85×10-3m，a=85×10-3m，N=230匝；

  恒流源：0-500mA；

  霍耳集成電路磁場強度探測器：靈敏度K=12.0mV/mT；

  數顯感應電動勢測量：0-19.99mv；

  電壓測量：0-19.99V、0-199.9mV三位半數顯；