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標(biāo)樂Buehler 金相制樣
徠卡Leica 顯微鏡
徠卡Leica 電鏡制樣
威爾遜
形創(chuàng) 三維掃描測(cè)量
萊馳RETSCH 粉碎、研磨、篩分
麥奇克萊馳MICROTRAC MRB 粒度粒形分析儀
埃爾特ELTRA 碳 / 氫 / 氧 / 氮 / 硫元素分析儀
卡博萊特蓋羅Carbolite Gero 高溫箱爐
鼎竑離子減薄
EM科特 臺(tái)式掃描電鏡
美墨爾特
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業(yè)納 長(zhǎng)度測(cè)量?jī)x器
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島津Shimazu 元素分析與光譜儀
島津Shimazu 表面分析
島津Shimadzu 物理性分析
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TQC /SHEEN涂料測(cè)試
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應(yīng)用案例 | 電鏡樣品制備之IC芯片

時(shí)間:2024-4-7閱讀:521
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本文采用徠卡三離子束切割儀TIC 3X的旋轉(zhuǎn)拋光樣品臺(tái)制備IC芯片。文中樣品很好地說明了徠卡三離子束切割儀中旋轉(zhuǎn)拋光平臺(tái)的概念。即使遇到直徑達(dá)38 mm的樣品的時(shí)候,表面能處理的區(qū)域也能達(dá)到30 mm。離子束拋光程度如何取決于之前的機(jī)械拋光,因此建議在離子束拋光前的機(jī)械拋光盡量做得好一些,在50倍的光鏡下看不見劃痕為宜。

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