產(chǎn)品簡介
MT20 N2 3P F+MIC 2.0施耐德框架式斷路器
詳細(xì)介紹
在小的間隙(<1mm)及短脈沖電壓情況下,可以合理地認(rèn)為真空間隙擊穿是由場致發(fā)射引起的,但在長間隙及連續(xù)加壓與長脈沖電壓下,有的學(xué)者認(rèn)為真空的擊穿尚存在其它機(jī)理:
(1)陰極引起的擊穿;在強(qiáng)電場下,由于場發(fā)射電流的焦耳發(fā)熱效應(yīng),使陰極MT20 N2 3P F+MIC 2.0施耐德框架式斷路器表面突出物的溫度升高,當(dāng)溫度達(dá)到臨界點時,突出物熔化產(chǎn)生蒸汽引起擊穿。
(2)陽極引起的擊穿:由于陰極發(fā)射的電子束,轟擊陽極使某點發(fā)熱產(chǎn)生熔化和蒸汽而發(fā)生間隙擊穿。產(chǎn)生陽極引起擊穿的條件與電場提高系數(shù)和間隙距離有關(guān)。
微塊引起擊穿的解釋
假設(shè)在電極表面附著較輕松的微塊,在電場作用下,微塊脫落而且加速,這微塊撞擊對面的電極時,由于沖擊發(fā)熱可使其本身熔化產(chǎn)生蒸汽,引起擊穿。
微放電導(dǎo)致真空間隙擊穿的解釋
電極的陰極表面沾污,將發(fā)生微放電現(xiàn)象。微放電是一種小的自抑制熄滅的電流脈沖,它的總放電電荷3107C,存在時間由50ms到幾ms,放電一般發(fā)生在大于1mm的間隙中。
這些真空間隙的擊穿機(jī)理表明,真空電極的材料與電極的表面狀況對真空間隙的絕緣都是非常關(guān)鍵的因素。
真空間隙的絕緣耐受能力與在先的分合閘操作工況有關(guān)MT20 N2 3P F+MIC 2.0施耐德框架式斷路器
真空斷路器接觸間隙的擊穿電壓,因耐壓實驗前不同工況的分合閘操作有相應(yīng)的不同結(jié)果,意大利哥倫布(Colombo)工程師在設(shè)備討論會上有文論述過這方面的問題:試驗對象是24KV斷路器,銅鉻觸頭,額定開斷電流16KA,額定電流630A,觸頭開距15。8mm,觸頭分閘速度1。1m/s,合閘速度為0。6m/s。試驗程序列于表1。
在關(guān)合---分閘操作(試驗系列2~5)后產(chǎn)生的大擊穿電壓比空載循環(huán)(試驗系列1)后給出的數(shù)值低,這意味著觸頭擊穿距離受電弧電流的影響而減小;同時,系列2和系列5所測得的數(shù)值亦小于系列3和系列4的試驗值,而電流過零波形和極性似乎無明顯影響。試驗結(jié)果證實了開閉操作的形式對斷路器觸頭之間的絕緣耐受能力有影響,擊穿電壓在30~50kV范圍內(nèi),擊穿距離為0。6~2mm之間,擊穿時觸頭的電場強(qiáng)度為25~44kV。
以上內(nèi)容均根據(jù)學(xué)員實際工作中遇到的問題整理而成,供參考,如有問題請及時溝通、指正。