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主要產(chǎn)品：ABB，西門(mén)子，韓國(guó)LS產(chǎn)電，施耐德，歐姆龍，GV2，常熟開(kāi)關(guān)，上海人民，天水系列等等，本公司擁有自主創(chuàng)新電氣類(lèi)產(chǎn)品，變頻器，軟啟動(dòng)，接觸器，斷路器等等.微；RCDQ88888 Q；2940830643
MT16 N2 4P F+MIC 7.0施耐德框架式斷路器
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
由派森定理的"V"形關(guān)系曲線(xiàn)中看出，當(dāng)真空度達(dá)103托時(shí)出現(xiàn)拐點(diǎn)，拐點(diǎn)附近曲線(xiàn)變得平坦，擊穿電壓幾乎無(wú)變化。
當(dāng)真空度和間隙距離相同時(shí)，其擊穿電壓則隨觸頭電極材料發(fā)生變化，電極材料機(jī)械強(qiáng)度高，熔點(diǎn)高時(shí)，真空間隙的擊穿電壓亦隨之提高。
真空絕緣的破壞機(jī)理
前面已說(shuō)過(guò)，在真空滅弧室這樣高度真空度的空間內(nèi)，氣體分子的自由行程很大，不會(huì)發(fā)生碰撞分離而使真空間隙在高壓電作用下會(huì)擊穿又是客觀存在，于是就有種解釋真空絕緣會(huì)破壞的機(jī)理，場(chǎng)致發(fā)射引起擊穿，微塊引起擊穿和微放電導(dǎo)致?lián)舸?/p>
場(chǎng)致發(fā)射論對(duì)真空間隙所以能發(fā)生擊穿的解釋MT16 N2 4P F+MIC 7.0施耐德框架式斷路器
間隙電場(chǎng)能量集中，在電極微觀表面的突出部分發(fā)生電子發(fā)射或蒸發(fā)逸出，撞擊陽(yáng)極使局部發(fā)熱，繼續(xù)放出離MT16 N2 4P F+MIC 7.0施耐德框架式斷路器子或蒸汽，正離子再撞擊陰極發(fā)生二次發(fā)射，相互不斷積累，后導(dǎo)致間隙擊穿。
*的Fowler and Noraheim場(chǎng)發(fā)射電流I表達(dá)式為:
I=AE2e-B/E
式中 E------電場(chǎng)強(qiáng)度;
A------常數(shù)，與發(fā)射點(diǎn)的面積有關(guān);
B------常數(shù)，與電極表面的逸出有關(guān)。