您好, 歡迎來(lái)到化工儀器網(wǎng)
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
詳細(xì)介紹
深圳市三佛科技有限公司 供應(yīng) 40V N溝道MOS 40V 10A 充電器MOS，原裝，庫(kù)存現(xiàn)貨*
HN4004采用*的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供的RDS（開(kāi)），低門電荷。它可以在各種各樣的應(yīng)用中使用
一般特性：vds=40V，id=13A rds（開(kāi)）<11MΩ@vgs=10V（典型8.1兆歐）rds（開(kāi)）<16兆歐@vgs=4.5伏（典型11 MΩ）。超低RDSON的高密度電池設(shè)計(jì)。*特征雪崩電壓和電流.。穩(wěn)定性好，均勻性好，EAS高。散熱性好的封裝。
應(yīng)用：負(fù)荷切換。硬開(kāi)關(guān)和高頻電路。不間斷電源。
提高充電速度的方法有兩個(gè)大方向:一是提高電壓，二是提高電流。提高電壓會(huì)增大充電過(guò)程中的發(fā)熱量，加速電池老化并可能帶來(lái)安全隱患，因此實(shí)際效果不佳。相比之下，提高電流則較為現(xiàn)實(shí)。VOOC閃充技術(shù)采用低電壓高電流模式，保證了充電過(guò)程中的安全性
HN4004主要替代:FKS4004,NCE4009S，NCE4012S
品牌：HN
型號(hào)：HN4004
VDS： 40V
IDS： 10A
封裝： SOP8
溝道：N溝道
HN4004原裝現(xiàn)貨，HN4004優(yōu)勢(shì)*
HN4004廣泛運(yùn)用于電源，充電器，控制板上。
阿里店鋪：阿里 “供應(yīng)商 ”搜索 ，深圳市三佛科技有限公司，咨詢客服購(gòu)買。
售后服務(wù)：公司免費(fèi)提供HN4004樣品，并提供HN4004產(chǎn)品運(yùn)用的技術(shù)支持。
HN4004可替代：FKS4004，NCE4009S，NCE4012S，NCE4015S，NCE40ND0812S，AO4450，AO4480，AO4484，AP9465GEM，AP9466GM，AP9467AGM，AP9468GM，AP9470GM，AP9985GM。
場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID，用以柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓控制ID”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽螅鶕?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。
在過(guò)渡層由于沒(méi)有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。