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深圳市三佛科技有限公司 供應 60V 50A TO-252 MOS管 50N06，原裝，庫存現貨*

 HN50N06DA參數：60V 50A TO-252 N溝道 MOS管/場效應管
品牌：HN
型號：HN50N06DA
VDS：60V 
IDS：50A  
RDS(on)Max：20mΩ
封裝：TO-252
溝道：N溝道
HN50N06DA原裝*,HN50N06DA現貨*供應。

HN50N06DA產品應用于：汽車LED燈,應急燈等低壓DC/DC電路, HID防反接電路, 馬達驅動等等
售后服務：公司免費提供HN50N06DA樣品，并提供產品運用的技術支持。

 HN50N06DA是N通道邏輯增強模式功率場效應晶體管是用高單元制造的密度，DMOS溝技術。這個高密度工藝特別是為大限度地減少開機狀態而定制的抵抗。
這些器件特別適合于低壓應用。

 【60V MOS N/P溝道】
HN2310:    60V  3A SOT23               N溝道 MOS管
HN04P06 ：  -60V  -4A  SOT-23       P溝道 MOS管
HN50N06DA：60V  50A TO-252   N溝道 MOS管
HN9940L    60V  20A  TO-251   N溝道 MOS管

HN2310   60V    3A   SOT23  可替代下列型號：
AO3422,AP2310GN,CJ2310，AP6N090N，NCE6003Y

HN0501  100V 5A SOT-23  N溝道MOS  可替代下列型號：
HN0501替代：HC5N10，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，AO3442，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，HC160N10LS，NCE0102，NCE0102ZA，G1003A，G1003B，G1005A，AO3422，AO4454，AO3442，CJ2324，AO3422，VSC160N10MS，SL100N10MS，NCE0103Y等等

HN0801   100V 8A SOT-89 N溝道MOS 可替代下列型號：
HN0801可替代：AO4292，AO4292E，AO4452，AO4454，AO4482，2SK2055，PCP1403，BSS606N, 2SK1764, CJA03N10,2SK1592,VSR050N06MS,RHP020N06T100,RJP020N06，NCE3055，UT3N06G，FIR3N10MTG，2SK1273，NCE6003M，2SK2055，2SK3065，2SK2615，PL3N10M，NCE0102M，WSE9968A，HM3N10PR，
HM4N10PR，HM6N10PR，HM2N15PR，AP2310GG，AP6N090G。

HN0301     100V 3A SOT-23S N溝道MOS   可替代下列型號：
HN0301替代：HC5N10，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，AO3442，Si2318CDS，Si2392ADS，Si2324DS，Si2328DS，HC160N10LS，NCE0102，NCE0102ZA，G1003A，G1003B，G1005A，AO3422，AO4454，AO3442，CJ2324，AO3422，VSC160N10MS，SL100N10MS，NCE0103Y等等

場效應管的檢測步驟如下：

（1）首先觀察待測場效應管外觀，看待測場效應管是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說明場效應管已發生損壞，如圖1所示，本次待測的場效應管外型完好沒有明顯的物理損壞。

（2）待測場效應管外型完好沒有明顯損壞需進一步進行測量，用一小鑷子夾住待測場效應管用熱風焊臺將待測場效應管焊下。

（3）將場效應管從主板中卸下后，須用小刻刀清潔待測場效應管的引腳，如圖2所示。去除引腳上的污物，避免因油污的隔離作用影響測量時的準確性。

（4）清潔完成后，用小鑷子對待側場效應管進行放電避免殘留電荷對檢測的影響（場效應管極易存儲電荷）

（5）選擇數字萬用表的 “二極管”擋
（6）將黑表筆接待測場效應管左邊的一只引腳，用紅表筆分別去測與另外兩只引腳間的阻值，如圖5所示。兩次檢測均為無窮大。